[發(fā)明專(zhuān)利]一種分檢機(jī)臺(tái)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410719133.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105719994A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫從濤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江鴻禧能源股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/687 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/687;H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 314205 浙江省嘉*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 機(jī)臺(tái) 抓手 真空 釋放 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)能電池片制造技術(shù)領(lǐng)域的分類(lèi)檢測(cè)技術(shù),尤其是一種分檢機(jī)臺(tái)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法。
背景技術(shù)
在晶硅太陽(yáng)能電池片的制備工藝中,通常采用的工藝流程依次為清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕、PECVD、絲網(wǎng)印刷和分類(lèi)檢測(cè)。在分類(lèi)檢測(cè)工序中,利用分類(lèi)檢測(cè)機(jī)對(duì)電池片的電性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試并根據(jù)電性能參數(shù)進(jìn)行分類(lèi)。現(xiàn)在大多數(shù)分類(lèi)檢測(cè)機(jī)中抓手吸嘴僅使用了真空管路,通過(guò)兩位三通電磁閥YV來(lái)控制真空的通斷,從而控制吸片。此種設(shè)計(jì)方法對(duì)電磁閥、真空釋放時(shí)間、吸嘴狀態(tài)等要求均較高,導(dǎo)致抓手放片時(shí)間長(zhǎng),同時(shí)殘留真空影響放片的位置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種分檢機(jī)臺(tái)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:在兩位三通電磁閥YV上增加了一路AIR(空氣或壓縮空氣)管路,接在兩位三通電磁閥YV位2處,用于為抓手吸嘴管路通入AIR(空氣或壓縮空氣);同時(shí)在抓手前、YV電磁閥后管路中加入節(jié)流閥V,用于調(diào)節(jié)抓手負(fù)壓和CDA量的大小。
本發(fā)明的有益效果是通過(guò)使用本發(fā)明提供的分檢機(jī)臺(tái)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,達(dá)到了減少抓手放片時(shí)間,增加產(chǎn)量,避免殘留真空影響放片位置的目的。
附圖說(shuō)明
圖1現(xiàn)有分檢機(jī)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的控制原理圖
圖2本發(fā)明中分檢機(jī)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的控制原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖2對(duì)本發(fā)明提供的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
在本具體實(shí)施方式中,分檢機(jī)臺(tái)抓手吸嘴真空釋放系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法是在兩位三通電磁閥YV上增加了一路AIR(空氣或壓縮空氣)管路,接在兩位三通電磁閥YV位2處,用于為抓手吸嘴管路通入空氣(或壓縮空氣);同時(shí)在抓手前、YV電磁閥后管路中加入節(jié)流閥V,用于調(diào)節(jié)抓手負(fù)壓和CDA量的大小。當(dāng)YV閥位于1位時(shí),抓手真空路打開(kāi),吸取電池片;當(dāng)YV處于2位時(shí),AIR路打開(kāi),抓手吸嘴通入空氣(或壓縮空氣),快速消除抓手內(nèi)存在的真空負(fù)壓,迅速放下電池片;YV后路加入節(jié)流閥V,調(diào)節(jié)抓手吸嘴吸片時(shí)真空負(fù)壓大小至適當(dāng)值(抓住電池片移動(dòng)且電池片不會(huì)脫落),減少報(bào)廢產(chǎn)生。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





