[發明專利]發光元件在審
| 申請號： | 201410718708.0 | 申請日： | 2014-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN104979443A | 公開（公告）日： | 2015-10-14 |
| 發明（設計）人： | 洪文慶 | 申請（專利權）人： | 銳晶科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件，其特征在于，包括：
緩沖層；
發光層；
第一型摻雜半導體層，位于該緩沖層與該發光層之間；
第二型摻雜半導體層，其中該發光層配置于該第一型摻雜半導體層與該第二型摻雜半導體層之間；以及
調制摻雜半導體層，位于該緩沖層與該第一型摻雜半導體層之間，其中該調制摻雜半導體層中具有第一型摻質，而該第一型摻質的摻雜濃度隨著該調制摻雜半導體層的厚度變化而呈現周期性變化，且該第一型摻質的平均摻雜濃度低于該第一型摻雜半導體層的平均摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻質包括硅、鍺或碳。
3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻質的摻雜濃度隨厚度不同而在第一摻雜濃度與第二摻雜濃度之間呈現周期性變化。
4.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻質的濃度介于1017至1018每立方公分之間。
5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻雜半導體層的摻雜濃度為定值。
6.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻雜半導體層的摻雜濃度隨厚度不同而呈現周期性變化。
7.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻雜半導體層的摻質濃度介于1018至1019每立方公分之間。
8.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，還包括：
基板，其中該緩沖層位于該基板與該調制摻雜半導體層之間。
9.根據權利要求8所述的發光元件，其特征在于，該基板包括氧化鋁基板、硅基板、碳化硅基板、鋁酸鋰基板、鎵酸鋰基板、氮化鎵基板、磷化鎵基板或砷化鎵基板。
10.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，該第一型摻雜半導體層為N型摻雜半導體層，且該第二型摻雜半導體層為P型摻雜半導體層。
11.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，還包括：
第一電極；以及
第二電極，其中該第一電極與該第一型摻雜半導體層電性連接，且該第二電極與該第二型摻雜半導體層電性連接。
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