[發明專利]形成具有溝槽的透明基材的方法及形成元件基板的方法有效
| 申請號: | 201410717599.0 | 申請日: | 2014-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN104409329A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 鄭鈞文;賴英傑;林嘉信 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;尚群 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 具有 溝槽 透明 基材 方法 元件 | ||
1.一種形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,包括:
提供一透明基材,且該透明基材上形成有一透明導電層;以及
利用一激光裝置產生一激光,并將該激光照射該透明基材與該透明導電層,以于該透明基材與該透明導電層相接觸的一第一表面形成具有至少一上視圖案的至少一溝槽,并移除該溝槽正上方的該透明導電層,其中該激光的功率小于8瓦。
2.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,還包括于形成該至少一溝槽的步驟之后,移除剩余的該透明導電層。
3.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該激光的功率介于3瓦特與6瓦特之間,且該溝槽的深度與該透明導電層的厚度的比例介于6比1與15比1之間。
4.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,還包含于利用該激光照射該透明基材與該透明導電層的步驟之前,將該透明基材設置于一傳送機臺上,其中該透明基材具有相對于該第一表面的一第二表面,該第二表面鄰近該傳送機臺,且該第一表面鄰近該激光裝置。
5.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該透明基材具有相對于該第一表面的一第二表面,該第二表面鄰近該激光裝置,且該激光先經過該第二表面,然后射至該第一表面。
6.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該上視圖案為一二維條碼、一文字、一符號、一圖形或一對位標記。
7.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該透明導電層具有一第一部分與一第二部分,且該第一部分的厚度大于該第二部分的厚度,其中形成該至少一溝槽的步驟包括利用該激光照射該第一部分與該第二部分,以于對應該第一部分的該第一表面形成一第一溝槽,以及于對應該第二部分的該第一表面形成一第二溝槽,且該第一溝槽的深度大于該第二溝槽的深度。
8.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該透明基材包括玻璃、高分子材料、氮化硅、石英或藍寶石。
9.如權利要求1所述的形成具有溝槽的透明基材的方法,其特征在于,該激光的波長為1064納米至1075納米。
10.一種形成元件基板的方法,其特征在于,包括:
提供一透明基材,且該透明基材上形成有一透明導電層;
利用一激光裝置產生一激光,并將該激光照射該透明基材與該透明導電層,以于該透明基材與該透明導電層相接觸的一第一表面形成具有至少一上視圖案的至少一溝槽,并移除該溝槽正上方的該透明導電層,其中該激光的功率小于8瓦;以及
于該溝槽內填入一高分子材料層。
11.如權利要求10所述的形成元件基板的方法,其特征在于,還包括于形成該至少一溝槽的步驟與填入該高分子材料層的步驟之間,移除剩余的該透明導電層。
12.如權利要求10所述的形成元件基板的方法,其特征在于,該高分子材料層包括一間隙物或一彩色濾光層。
13.如權利要求10所述的形成元件基板的方法,其特征在于,還包含于填入該高分子材料層的步驟之后,通過該上視圖案進行對位,以將該透明基材與一對向基板接合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





