[發明專利]一種改善有源區關鍵尺寸均勻性的方法

在審

• 申請號: 201410714895.5
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104465325A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 徐友峰;宋振偉;陳晉;李翔
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種改善有源區關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一具有中心區域和邊緣區域的的晶片，所述中心區域設置有中心區域有源區，所述邊緣區域設置有邊緣區域有源區，且所述晶片邊緣區域的有源區關鍵尺寸比晶片中心區域有源區關鍵尺寸大，所述有源區之間以溝槽隔開：

步驟S1：用濕法清洗工藝去除所述晶片邊緣區域溝槽側壁的自然氧化層；

步驟S2：用氧化性化學品處理所述晶片邊緣區域溝槽側壁，以在溝槽側壁重新生成一氧化層；

重復步驟S1、步驟S2若干次，直到晶片邊緣區域有源區關鍵尺寸與晶片中心區域有源區關鍵尺寸相同，即晶片有源區關鍵尺寸均勻性得以改善。

2.如權利要求1所述方法，其特征在于，所述濕法清洗工藝使用的清洗液為氫氟酸溶液。

3.如權利要求2所述方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中氫氟酸的含量為0.15％-2％。

4.如權利要求1所述方法，其特征在于，所述氧化性化學品為硫酸和雙氧水的混合液或含有臭氧的去離子水。

5.如權利要求4所述方法，其特征在于，所述去離子水中臭氧的濃度為2ppm-20ppm。

6.如權利要求1所述方法，其特征在于，利用所述方法將晶片邊緣區域有源區關鍵尺寸縮小1nm-10nm。

7.如權利要求1所述方法，其特征在于，在單片清洗機臺實施所述濕法清洗和氧化工藝。