[發明專利]延長測試晶圓使用壽命的方法

在審

• 申請號: 201410714879.6
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104465444A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 范榮偉;柳祚鉞;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.延長測試晶圓使用壽命的方法，應用于電子束缺陷掃描儀抓取率檢測中，其特征在于，包括：

提供一已被電子束缺陷掃描儀掃描后的測試晶圓，所述測試晶圓的表面形成有亞穩態的化學鍵；

采用離子溶液去除所述亞穩態的化學鍵，所述離子溶液的PH值為：PH>8.5或PH<5.5。

2.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，將離子溶液采用旋轉噴淋的方式噴灑至所述測試晶圓表面，以去除所述亞穩態的化學鍵。

3.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，所述測試晶圓上設置有經過鎢平坦化研磨后形成的鎢接觸孔結構。

4.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，所述離子溶液對所述測試晶圓沒有損害。

5.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，采用浸泡的方式將所述測試晶圓，浸泡于所述離子溶液中，以去除所述亞穩態的化學鍵。

6.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，所述的離子溶液為氫氟酸離子溶液。

7.如權利要求1所述延長測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，所述離子溶液為氨水離子溶液。