[發明專利]一種光刻工藝熱點的自動修復方法

有效

• 申請號: 201410714799.0
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104460226B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 王偉斌;朱忠華;魏芳;呂煜坤;朱駿;張旭昇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

本發明涉及DFM可制造圖形設計領域，尤其是涉及到一種光刻工藝熱點的自動修復方法，首先對版圖進行光刻工藝友善性檢查；之后通過光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點的位置標記，并根據位置標記生成光刻工藝熱點的考量數據區域和模擬區域，最后對數據區域的版圖進行修改，并通過檢查工具套件對修改進行有效性判定，以提供一種合適的修復方案；該技術方案實現了版圖中的光刻工藝熱點的快速自動修復和驗證，實現了高程度的自動化要求，且其可制造性設計方案的操作性和效率大大提高，修復周期較短，一定程度上降低了時間成本。

技術領域

本發明涉及DFM(Design For Manufacture)可制造圖形設計領域，尤其是涉及到一種光刻工藝熱點的自動修復方法。

背景技術

光刻是集成電路制造的主要工藝，其主要實現將掩模板上的圖形向硅表面各層材料上的轉移，掩模板圖像對光波來說相當于傳播路徑的障礙，從而在硅片上得到與掩模板圖像相關的光刻圖形。

由于設計缺陷或分辯率增強技術等本身的限制，晶圓上的電路可能會出現夾斷(pinch)、橋接(bridge)、孔接觸不良等缺陷(即熱點)，版圖中可能導致這些缺陷的區域叫做光刻工藝熱點區域，光刻工藝熱點區域可能會影響到最終電路的性能甚至導致功能的失效，因此應在芯片生產之前找出光刻工藝熱點并加以修復。為評估光刻工藝中版圖的友善性，確定版圖是否是適應于現實的生產中，應通過仿真模擬方法來模擬光刻工藝、檢測工藝熱點。

如圖1所示，現有技術提供的一種版圖中光刻工藝熱點的修復流程：首先，運用工廠提供的檢查工具套件對設計公司的版圖進行光刻工藝友善性檢查(LithographyFriendly Check，簡稱LFC)；其次，判斷版圖中是否存在潛在光刻工藝熱點，若存在則將版圖依靠代工廠或設計公司的工程師手動修改；之后，進行第二次版圖的光刻工藝友善性檢查，并依次循環上述步驟；最后，得到修改后的版圖。

現有技術中版圖的光刻工藝熱點的修復主要是依靠代工廠或設計公司(代工廠將相關工具套件加密之后傳送給設計公司)的工程師根據經驗進行手動修改，之后進行光刻工藝友善性檢查套件(LFC Kits)的驗證。這種方法的缺陷是依賴工程師的經驗，而且自動化程度不高，修復周期較長，效率較低且不利于熱點修復的高效簡易。

因此，本領域亟需一種更加高效的光刻工藝熱點的自動修復方法。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供了一種光刻工藝熱點的自動修復方法，以解決現有技術中因光刻工藝熱點在修復過程中自動化程度不高，修復周期較長，效率和可操作性低下等缺陷。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案為：

一種光刻工藝熱點的自動修復方法，其中，所述方法包括：

步驟S1、提供一版圖，并通過一檢查工具套件對版圖進行光刻工藝友善性檢查；

步驟S2、根據光刻工藝友善性檢查的結果，判斷版圖中是否存在光刻工藝熱點，若存在則進行步驟S3，否則結束修復；

步驟S3、通過光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點的位置標記，并根據位置標記生成光刻工藝熱點的考量數據區域和模擬區域；

步驟S4、通過一修改工具套件對考量數據區域的版圖進行修改，并通過檢查工具套件對修改進行有效性判定；

步驟S5、保留有效的版圖的修復方案。

較佳的，上述的光刻工藝熱點的自動修復方法，其中，所述考量數據區域和所述模擬區域為位置標記的放大區域；

其中，所述考量數據區域的半徑為b，所述模擬區域的半徑為c，c>b，且c-b>光學模型半徑。

較佳的，上述的光刻工藝熱點的自動修復方法，其中，所述考量數據區域的半徑b的取值范圍為：0.5um≤b≤1.5um。