[發(fā)明專利]2-2型壓電復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410714519.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105702851B | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李永川;薛術(shù);錢明;鄭海榮;郭瑞彪;陳然然;蘇敏;劉廣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L41/187 | 分類號(hào): | H01L41/187;H01L41/35 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,包括以下步驟:
將一面覆有聚合物的壓電陶瓷片/單晶鐵電片置于離心機(jī)中,控制所述離心機(jī)的轉(zhuǎn)速和離心時(shí)間,使所述聚合物均勻澆注于所述壓電陶瓷片/單晶鐵電片的一面形成壓電復(fù)合材料陣元;
將所述壓電復(fù)合材料陣元上多余的壓電陶瓷/單晶鐵電和聚合物磨去,使所述壓電陶瓷片/單晶鐵電片及所述聚合物分別達(dá)到各自的預(yù)設(shè)厚度;
重復(fù)上述步驟得到所需數(shù)量的壓電復(fù)合材料陣元,將多個(gè)壓電復(fù)合材料陣元堆疊,并在結(jié)合面涂上聚合物,使多個(gè)壓電復(fù)合材料陣元粘接形成壓電復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,還包括將多個(gè)粘接在一起的壓電復(fù)合材料陣元沿垂直結(jié)合面的方向切割,形成單片的壓電復(fù)合材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,所述聚合物均勻澆注于所述壓電陶瓷片/單晶鐵電片一面中的聚合物厚度不超過20μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,在所述將所述壓電復(fù)合材料陣元上多余的壓電陶瓷和聚合物磨去的步驟之前還包括:
將所述壓電復(fù)合材料陣元置于清潔干燥的環(huán)境中晾干。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,還包括:將多個(gè)堆疊后的壓電復(fù)合材料陣元采用夾具固定夾緊,使多余的聚合物溢出。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,在所述將多個(gè)粘接在一起的壓電復(fù)合材料陣元沿垂直結(jié)合面的方向切割的步驟之前還包括:
將多個(gè)粘接在一起的壓電復(fù)合材料陣元采用夾具固定夾緊后置于清潔干燥的環(huán)境中晾干。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,所述將多個(gè)粘接在一起的壓電復(fù)合材料陣元沿垂直結(jié)合面的方向切割的步驟包括:
采用金剛石劃片機(jī)沿垂直結(jié)合面的方向切割多個(gè)粘接在一起的壓電復(fù)合材料陣元,形成壓電復(fù)合材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,采用磨床磨所述壓電復(fù)合材料的兩面,使所述壓電復(fù)合材料達(dá)到第二預(yù)設(shè)厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的2-2型壓電復(fù)合材料制備方法,其特征在于,用于粘接多個(gè)壓電復(fù)合材料陣元的聚合物厚度為1μm-2μm。
10.一種2-2型壓電復(fù)合材料,其特征在于,包括壓電陶瓷片/單晶鐵電片及聚合物;所述聚合物采用離心機(jī)澆注均勻澆注于所述壓電陶瓷片/單晶鐵電片的一面形成壓電復(fù)合材料陣元;所述壓電復(fù)合材料陣元置于磨床中磨去多余的壓電陶瓷/單晶鐵電和聚合物;使所述壓電陶瓷片/單晶鐵電片及所述聚合物分別達(dá)到各自的預(yù)設(shè)厚度;多個(gè)所述壓電復(fù)合材料陣元堆疊并在結(jié)合面涂上聚合物進(jìn)行粘接形成壓電復(fù)合材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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