[發明專利]超級電容器用空心結構或搖鈴型二氧化釕/碳復合納米材料、制備方法及其用途在審
| 申請號: | 201410713660.4 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN104465122A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 譚強強;王鵬飛;徐宇興 | 申請(專利權)人: | 中國科學院過程工程研究所 |
| 主分類號: | H01G11/36 | 分類號: | H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86;H01G11/26 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超級 電容 器用 空心 結構 搖鈴 氧化 復合 納米 材料 制備 方法 及其 用途 | ||
技術領域
本發明屬于電化學及無機材料領域,特別涉及一種超級電容器用空心結構或搖鈴型二氧化釕/碳復合納米電極材料、制備方法及其用途。
背景技術
超級電容器(Supercapacitors),又稱電化學電容器(Electrochemical?capacitors),由于具有快速充放電、使用壽命長、低溫性能優越和使用溫度范圍寬等諸多優點而受到廣泛研究。
二氧化釕是一種性能優越的超級電容器材料,其依賴于表面及體相中發生的快速法拉第反應儲存能量,增大材料的比表面積有利于材料性能的提高,目前增大電極材料比表面積的方法主要有納米化,制備空心材料或將活性材料負載于高比表面積的基體材料的表面。
中國專利CN?102451688A公開了一種制備空心金屬氧化物材料的制備方法,該材料是在空心氧化硅基體中鑲嵌金屬無機氧化物,無機金屬金屬氧化物高分散在氧化硅基體之中。該方法合成的空心納米復合氧化物材料,粒徑為20~500nm,空心大小為5~20nm。這種材料利用氧化硅作為基體,在電化學性能上具有一定的局限性。
發明內容
針對現有技術中的不足,本發明的目的在于提供一種簡單的熱還原氧化法制備尺寸細小、粒度均勻和分散良好的二氧化釕/碳復合納米材料,而且,本發明的制備方法具有工藝設備簡單、產率高、成本低、無污染且易實現工業化規模生產等特點,因此具有廣闊的應用前景。
為了實現上述目的,本發明采用了如下技術方案:
一種超級電容器用搖鈴型或空心結構二氧化釕/碳復合納米材料的制備方法,所述方法首先采用油胺還原法制備Ag@Ru或M@Ag@Ru核殼結構納米顆粒,然后將其負載于碳材料,酸洗,加入空化劑除銀,洗滌,干燥,煅燒,即得搖鈴型或空心結構二氧化釕/碳復合納米材料,即二氧化釕/M/碳復合納米材料;所述M為鉑、鈀或金中的任意一種或者至少兩種的組合。
優選地,所述方法包括以下步驟:
(a)將任選地M前驅體加入到油胺中,攪拌溶解,加熱回流反應,然后再加入銀前驅體,攪拌溶解,繼續加熱回流反應,所述M為鉑、鈀或金中的任意一種或者至少兩種的組合;
(b)向步驟(a)中的溶液加入釕前驅體,繼續加熱回流反應,反應結束后將產物離心,洗滌,然后加入碳材料進行吸附;
(c)將步驟(b)得到的產物用有機酸煮沸,洗滌,然后加入空化劑除銀,再次洗滌,干燥;
(d)將步驟(c)得到的產物煅燒,即可得到搖鈴型或空心結構二氧化釕/碳復合納米材料,即二氧化釕/M/碳復合納米材料。
上述方法可以方便的獲得納米尺度二氧化釕材料,為超電容應用提供了大比表面積的優勢,同時納米顆粒可以很好的分散于碳材料等基體上,有效防止納米顆粒聚集成團。將空心氧化物材料和碳材料有效結合形成復合結構,這種復合結構同時有利于電容器內的離子轉移和電子轉移過程,因而表現出優異的電化學性能。
優選地,步驟(a)中所述M前驅體為氯金酸、金氰化鉀、金硫醇鹽、氯鉑酸、鉑氰化鉀、氯化鈀或醋酸鈀中的任意一種或者至少兩種的組合。
優選地,所述銀前驅體為硝酸銀、高氯酸銀或氟化銀中的任意一種或者至少兩種的組合。
優選地,銀前驅體的濃度為0.001~0.05mol/L,例如0.002mol/L、0.005mol/L、0.01mol/L、0.02mol/L或0.04mol/L。該前驅體濃度保證了銀在M核上的有效包覆,同時又不至于獨自成核,銀前驅體的濃度優選0.005~0.02mol/L,進一步優選為0.01mol/L。
優選地,M前驅體與銀前驅體的濃度比為0:1~1:8,例如為0:1、1:0.5、1:1、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6或1:7等,該比例可以保證材料具有合適孔的尺寸。M前驅體與銀前驅體的濃度比優選為1:1~1:5,進一步優選為1:4。
當M前驅體與銀前驅體的濃度比為0:1時,即步驟(2)中不加入M前驅體,只將銀前驅體加入油胺中。
優選地,步驟(a)中的加熱回流反應裝置為加熱回流裝置。
優選地,步驟(a)所述加熱回流反應的溫度為100~180℃,例如120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃或180℃,該溫度為M前驅體和銀前驅體的還原溫度,優選為150~165℃,進一步優選為160℃。加熱回流反應的時間為2~24h,例如2h、4h、6h、8h、10h、12h、14h、16h、18h、20h或22h等,優選為3~10h,進一步優選為4h。
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