[發明專利]靶材加工方法

在審

• 申請號: 201410713022.2
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN105695943A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;相原俊夫;大巖一彥;王學澤;汪軍坤
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，具體涉及一種靶材加工方法。

背景技術

在半導體制造中常用到濺射沉積(SputteringDeposition,SD)工藝，這種 工藝用于將金屬濺射到襯底上以粘貼薄膜。這種工藝是物理氣相沉積(Physical VaporDeposition,PVD)中的一種，通過高能量粒子轟擊靶材，使被轟擊的靶 材原子沉積在待沉積的基底表面上粘貼薄膜。所述高能量粒子工藝是通過專 門的濺射設備來完成的。

由于在濺射過程中，靶材的邊緣處上會留有濺射產生的顆粒物，這些顆 粒物逐漸積累變成沉積物。沉積物在靶材上聚集到一定程度后會發生剝落現 象(peeling)，剝落的沉積物不僅會影響濺射環境，還容易掉落在產品表面 上，導致產品有缺陷甚至報廢。為此，現有技術會對靶材的部分非濺射區域 進行噴砂處理，這樣經過噴砂的部分表面變得粗糙，進而變得容易吸附沉積 物，減少剝落現象發生的幾率。

但是，現有技術在對靶材進行噴砂的同時，很容易損傷到靶材的其他不 需要噴砂的表面，這會對靶材的成品率造成影響。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種靶材加工方法，以較好的對靶材的部分表 面進行噴砂處理，同時不影響到靶材的其他不需要噴砂的部分。

為解決上述問題，本發明提供一種靶材加工方法，包括：

提供靶材，所述靶材包括待噴砂區域以及不需要噴砂的保留區域；

至少在所述保留區域靠近待噴砂區域的部分，以及部分待噴砂區域粘貼 保護層；

去除位于待噴砂區域的保護層，以完全露出靶材的待噴砂區域；

對靶材的待噴砂區域進行噴砂處理；

在噴砂處理的步驟之后，去除靶材上剩余的保護層。

可選的，粘貼保護層的步驟包括，在靶材表面覆蓋膠帶。

可選的，所述膠帶為聚氯乙烯膠帶、聚酯薄膜膠帶、鐵氟龍膠帶或者聚 丙烯薄膜膠帶。

可選的，粘貼保護層的步驟包括：粘貼厚度在0.12mm～0.15mm范圍內 的膠帶。

可選的，提供靶材的步驟包括：提供非圓形靶材；去除位于待噴砂區域 的保護層的步驟包括：采用銑削的方式去除所述待噴砂區域的保護層。

可選的，提供靶材的步驟包括：提供圓形靶材；

去除位于待噴砂區域的保護層的步驟包括：采用車削的方式去除所述待 噴砂區域的保護層。

可選的，去除位于待噴砂區域的保護層的步驟包括：在車刀與粘貼有保 護層的靶材表面之間設置不大于保護層厚度的間隙。

可選的，使所述間隙在0.02mm～0.04mm的范圍內。

可選的，采用車削的方式去除所述待噴砂區域的保護層的步驟還包括： 使車削機床的轉速在250～550轉/分鐘的范圍內，車削進給量在每轉0.015～ 0.025mm的范圍內。

可選的，去除位于待噴砂區域的保護層的步驟之后，進行噴砂處理的步 驟之前，所述靶材加工方法還包括：采用刀片對于靶材待噴砂區域表面進行 去膠處理。

可選的，粘貼保護層的步驟之后，進行噴砂處理的步驟之前，所述靶材 加工方法還包括：采用蓋板對保留區域未粘貼保護層的部分進行遮擋。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：

至少在所述靶材保留區域靠近待噴砂區域的部分，以及部分待噴砂區域 粘貼保護層有利于提升在靶材上覆蓋保護層的效率，因為在實際操作中很難 實現僅僅在靶材保留區域覆蓋保護層，因此在保留區域均覆蓋保護層的同時， 覆蓋的保護層容易有一部分延伸到靶材的待噴砂區域；在這之后，再去除位 于靶材的待噴砂區域的保護層，這樣將靶材的待噴砂區域完全露出以便后續 進行噴砂處理。此時，由于保護層粘貼在靶材保留區域的表面，靶材與保護 層之間沒有間隙，相對于現有技術采用擋板遮擋保留區域的方式，本發明在 噴砂處理時，噴砂顆粒不會進入到靶材保留區域表面與保護層之間，進而很 好的保護了靶材的保留區域，提升了靶材的良率。

進一步，在靶材表面覆蓋膠帶，也就是說，采用膠帶作為保護層可以進 一步避免靶材的保留區域不受影響，因為膠帶材質柔軟，相比現有技術的硬 質擋板來說，基本不會劃傷靶材表面。

附圖說明

圖1至圖6是本發明靶材加工方法一實施例中各個步驟的示意圖。