[發明專利]基板處理裝置及方法

在審

• 申請號: 201410710979.1
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104900563A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 金泰勛
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 姜燕;王衛忠

1.一種基板處理裝置，包括：

工序腔室，該工序腔室內部形成有空間；

支撐單元，該支撐單元位于所述工序腔室內部以支撐處理對象物；以及

氣體供應部，該氣體供應部向所述工序腔室內部供應工序氣體；且

所述支撐單元包括：

基座；以及

陶瓷環，該陶瓷環系以環繞所述基座的方式配置；

該基板處理裝置還包括墊片，該墊片用于在放置于所述支撐單元中的所述處理對象物與所述陶瓷環之間形成間隙。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，所述墊片從所述陶瓷環向上部凸出。

3.如權利要求1所述的基板處理裝置，所述墊片環繞所述基座配置有多個。

4.如權利要求1所述的基板處理裝置，為使所述處理對象物位于所述基座頂部，還包括在所述陶瓷環的頂部邊緣部分凸出配置的引導部。

5.如權利要求4所述的基板處理裝置，所述引導部配置有多個，多個所述引導部環繞所述基座相互間隔開。

6.如權利要求1所述的基板處理裝置，在所述基座的頂部形成有壓紋。

7.如權利要求1至6中任一項中所述的基板處理裝置，所述處理對象物包括：框架環；固定于該框架環的內側面的安裝用帶；以及附著于該安裝用帶的頂部的基板；并且，所述基板處理裝置還包括阻塞構件，該阻塞構件為覆蓋所述框架環的環形狀，以使得所述框架環不暴露于電漿。

8.如權利要求7所述的基板處理裝置，所述阻塞構件配置為使所述安裝用帶暴露于電漿。

9.如權利要求7所述的基板處理裝置，所述阻塞構件包括：

阻塞環；以及

使所述阻塞環升降的升降構件。

10.一種基板處理方法，該基板處理方法包括以下步驟：

在固定于框架環的安裝用帶上附著已完成背面研磨的基板以構成處理對象物的步驟；

使所述處理對象物位于如權利要求1至6中任一項所述的基板處理裝置內的步驟；以及

利用激發為電漿的工序氣體去除所述基板表面的接合劑殘余物的步驟。

11.如權利要求10所述的基板處理方法，在去除接合劑殘余物的步驟中，所述安裝用帶暴露于所述電漿。

12.如權利要求10所述的基板處理方法，在去除接合劑殘余物的步驟中，所述框架環由阻塞環覆蓋，所述安裝用帶不由所述阻塞環覆蓋。