[發(fā)明專利]屏蔽電纜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410710169.6 | 申請日: | 2010-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN104637582B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 道格拉斯·B·貢德爾 | 申請(專利權)人: | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號: | H01B7/08 | 分類號: | H01B7/08 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 梁曉廣;車文 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 屏蔽膜 電纜 電纜位置 導體組 壓緊 電纜阻抗 屏蔽電纜 粘合劑層 覆蓋 橫向彎曲 絕緣導體 彎曲構型 粘合 測量 鄰近 延伸 | ||
一種屏蔽電纜(2),包括:導體組(4),所述導體組(4)沿著所述電纜(2)的長度(1)延伸并且沿著所述電纜(2)的寬度(w)彼此間隔開;第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(8),所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)設置在所述電纜(2)的相對側上并且包括覆蓋部分(7)和壓緊部分(9),所述覆蓋部分(7)和所述壓緊部分(9)被布置成使得在橫截面中,所述膜(8)的所述覆蓋部分(7)組合起來基本上圍繞每一個導體組(4);粘合劑層(10),所述粘合劑層(10)在所述電纜(2)的所述壓緊部分(9)中將所述屏蔽膜(8)粘合在一起。所述電纜在一電纜位置處以至多2mm的內(nèi)半徑的不超過180度的橫向彎曲使得鄰近所述電纜位置的所述所選絕緣導體的電纜阻抗與在未彎曲構型中的所述電纜位置處測量的初始電纜阻抗相差不超過2%。
本申請是申請日為2010年12月16日、申請?zhí)枮?01080066563.0(國際申請?zhí)枮镻CT/US2010/060629)、發(fā)明名稱為“屏蔽電纜”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術領域
本發(fā)明整體涉及用于傳輸電信號的屏蔽電纜,具體地講,涉及可以批量端接并提供高速電性能的屏蔽電纜。
背景技術
由于現(xiàn)代電子設備所用的數(shù)據(jù)傳輸速度的不斷增加,需要可以有效傳輸高速電磁信號(如,大于1Gb/s)的電纜。一種用于這些目的的電纜為同軸電纜。同軸電纜通常包括由絕緣體圍繞的電導線。線材和絕緣體被屏蔽件圍繞,并且線材、絕緣體和屏蔽件被護套圍繞。另一種類型的電纜是具有一個或多個被例如由金屬箔形成的屏蔽層圍繞的絕緣信號導體的屏蔽電纜。
這兩種類型的電纜可能需要使用特別設計的端接連接器,并通常不適于使用多端子封端技術,如,同時將多個導體連接到各個接觸元件。盡管已經(jīng)開發(fā)出有助于這些多端子封端技術的電纜,但是這些電纜通常在其大規(guī)模生產(chǎn)能力、其端接端部制備能力、其柔性及其電性能方面受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及高速數(shù)據(jù)電纜。在一個實施例中,屏蔽電纜包括多個導體組,所述多個導體組沿著電纜的長度延伸并且沿著電纜的寬度彼此間隔開。每一個導體組包括一個或多個絕緣導體。電纜還包括設置 在電纜的相對側上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分,其被布置為使得在橫截面中,第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來基本上圍繞每一個導體組。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在每一個導體組的每一側上形成電纜壓緊部分。電纜還包括第一粘合劑層,該第一粘合劑層在電纜壓緊部分中將第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜。所述多個導體組包括第一導體組,該第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體,并且具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在第一導體組的一側上形成第一壓緊電纜部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分。所述絕緣導體中所選的一個的線徑為不大于24美國線規(guī)(AWG),并且電纜在一電纜位置處以至多2mm的內(nèi)半徑上的不超過180度的橫向彎曲使得鄰近該電纜位置的所選絕緣導體的電纜阻抗與在未彎曲構型中的該電纜位置處測量的初始電纜阻抗相差不超過2%。
在一種構型中,所選絕緣導體的線徑可以為不大于26AWG,并且其中在一電纜位置處以至多1mm的內(nèi)半徑上的不超過180度的橫向彎曲使得鄰近該電纜位置的所選絕緣導體的電纜阻抗與初始電纜阻抗相差不超過1%。在另一種構型中,所選絕緣導體可以是所述導體組中所選的一個的一部分,該導體組包括至少兩個絕緣導體,所述至少兩個絕緣導體各自的線徑為不大于24AWG并且標稱差分阻抗為100Ω。在這種情況下,電纜的橫向彎曲導致鄰近電纜位置的所選導體組的差分電纜阻抗與在未彎曲構型中的電纜位置處測量的初始差分電纜阻抗相差不超過2Ω。另外在這種情況下,所述至少兩個絕緣導體的線徑可以為不大于26AWG,并且因此在一電纜位置處以至多1mm的第二內(nèi)半徑上的不超過180度的橫向彎曲使得鄰近該電纜位置的所選導體組的差分電纜阻抗與初始差分阻抗相差不超過1Ω。
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