[發明專利]一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法

在審

• 申請號: 201410709801.5
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104451817A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 朱文;曹國寶;崇保和
• 申請（專利權）人: 深圳華中科技大學研究院
• 主分類號: C25D11/06
• 分類號: C25D11/06;C25D11/18;B82Y40/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：制備包含鋁層和三氧化二鋁層的多孔陽極氧化鋁一級模板，所述三氧化二鋁層中具有多個孔洞，所述孔洞貫穿三氧化二鋁層并在鋁層表面形成凹坑，接著去除所述多孔陽極氧化鋁一級模板的所述三氧化二鋁層，獲得表面具有所述凹坑的鋁層；

S2：以步驟S1獲得的所述鋁層為陽極，以惰性金屬為陰極，對所述鋁層進行電化學處理，獲得表面具有規整排列孔洞的包含鋁層和三氧化二鋁層的多孔陽極氧化鋁二級模板，且所述規整排列孔洞位于該三氧化二鋁層，所述孔洞底部具有成分為三氧化二鋁的阻擋層；

S3：在酸液中以階梯降流法對經步驟S2的所述多孔陽極氧化鋁二級模板中的阻擋層進行減薄處理，以使孔洞底部的所述阻擋層減薄至10nm以下，所述階梯降流法為每次以相同梯度從最大電流逐步減小電流至0的電化學處理的方法，即完成減薄處理，獲得可直接進行納米材料制備的多孔陽極氧化鋁模板。

2.如權利要求1所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，步驟S3中所述階梯降流法，從最大電流至0分為多個梯度，電流在一個梯度穩定后，立即降低至下一個梯度，依次方式直到電流降至0。

3.如權利要求1或2所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，步驟S3中所述酸液為草酸、硫酸、磷酸、檸檬酸的一種或者多種，所述酸液中氫離子的濃度為0.2～0.4mol/L的。

4.如權利要求3所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，步驟S3中，所述階梯降流法在水浴環境下進行，所述水浴溫度為20～30℃。

5.如權利要求4所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，步驟S2中所述陽極與所述陰極間的距離為3cm。

6.如權利要求1所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，步驟S2中所述惰性金屬為鉑金。

7.如權利要求2所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟S1中采用經過退火處理的鋁片制備多孔陽極氧化鋁一級模板。

8.如權利要求7所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟S1中采用電化學方法制備多孔陽極氧化鋁一級模板，在進行電化學處理前，對所述鋁片先進行電化學拋光處理。

9.如權利要求1所述的一種常溫下減薄多孔陽極氧化鋁模板阻擋層的方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用混合溶液溶解所述多孔陽極氧化鋁一級模板的所述三氧化二鋁層，所述混合溶液包含質量分數為1.8％的三氧化二鉻且包含質量分數為6％的磷酸。