[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法在審
| 申請號： | 201410709740.2 | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104393052A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發明（設計）人： | 李輝 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
基板；
源極、漏極和第一絕緣層，所述源極、漏極和第一絕緣層設置在所述基板上，所述第一絕緣層位于所述源極和漏極之間，且所述源極、漏極和第一絕緣層構成同一平面；
有源層，所述有源層設置在所述源極、漏極和第一絕緣層構成的同一平面上，所述源極和漏極與所述有源層直接接觸；
第二絕緣層，覆蓋所述有源層；
柵極，所述柵極設置在所述第二絕緣層上；以及
第三絕緣層，所述第三絕緣層設置在所述柵極上。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層為多晶硅層。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材質選自SiNx和SiOx中的一種或兩種。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述基板的材質為玻璃。
5.根據權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極的材質為鉻、鉻的合金材料、鋁或鋁合金。
6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基板上形成第一絕緣層；
在所述第一絕緣層的兩側形成源極和漏極，所述源極、漏極和第一絕緣層構成同一平面；
在所述源極、漏極和第一絕緣層構成的同一平面上形成有源層，所述源極和漏極與所述有源層直接接觸；
在所述有源層上形成第二絕緣層，覆蓋所述有源層；
在所述第二絕緣層上形成柵極；
在所述柵極上形成第三絕緣層，得到所述薄膜晶體管。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述有源層通過非晶硅采用激光晶化形成。
8.根據權利要求6或7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層采用化學氣相沉積形成。
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