[發(fā)明專利]低功率芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410709649.0 | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104682933B | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P·貝利 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(R&D)有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/56 | 分類號： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 英國白*** | 國省代碼： | 英國;GB |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功能電路 偏置電路 輸出端子 低功率 芯片 絕緣體上硅 工作電壓 偏置電壓 晶體管 禁用 偏置 | ||
1.一種電子裝置，包括：
功能電路，包括至少一個絕緣體上硅SOI晶體管，和至少一個輸出端子；以及
偏置電路，被配置用于控制向所述功能電路供應(yīng)的工作電壓，并且通過控制所供應(yīng)的反向本體偏置電壓以反向本體偏置所述至少一個SOI晶體管來禁用所述至少一個輸出端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述至少一個絕緣體上硅晶體管包括至少一個完全耗盡型絕緣體上硅晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述偏置電路被配置用于響應(yīng)于所述功能電路將被斷電的指示而禁用所述至少一個輸出端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述至少一個輸出端子通過所述偏置電路應(yīng)用反向本體偏置來被啟用。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述偏置電路被配置用于將所述工作電壓和所述反向本體偏置電壓與所述功能電路耦合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其中所述偏置電路包括第一多路復(fù)用器，所述第一多路復(fù)用器被配置用于將工作源電壓和反向本體偏置源電壓與所述功能電路耦合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中所述偏置電路進(jìn)一步包括第二多路復(fù)用器，所述第二多路復(fù)用器被配置用于將工作接地和反向本體偏置源接地與所述功能電路耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中在被反向本體偏置時(shí)的所述至少一個SOI晶體管的本體泄漏電流與所述功能電路的功率損耗相比能夠忽略。
9.一種集成電路，包括：
多個裝置，其中每個裝置包括：
功能電路，包括至少一個絕緣體上硅SOI晶體管、和至少一個輸出端子；以及
偏置電路，被配置用于控制向所述功能電路供應(yīng)的工作電壓，并且通過控制所供應(yīng)的反向本體偏置電壓以反向本體偏置所述至少一個SOI晶體管來禁用所述至少一個輸出端子；
第一電壓發(fā)生器，用于為所述多個裝置生成所述工作電壓；
第二電壓發(fā)生器，用于生成所述反向本體偏置電壓，所述反向本體偏置電壓被配置用于反向本體偏置所述多個裝置的所述至少一個絕緣體上硅晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中每個絕緣體上硅晶體管包括完全耗盡型絕緣體上硅晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述偏置電路被配置用于響應(yīng)于所述功能電路將被斷電的指示而禁用每個功能電路中的所述至少一個輸出端子。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中每個功能電路中的所述至少一個輸出端子通過所述偏置電路應(yīng)用反向本體偏置來被啟用。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述偏置電路被配置用于將所述工作電壓和所述反向本體偏置電壓與每個功能電路耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其中所述偏置電路包括第一多路復(fù)用器，所述第一多路復(fù)用器被配置用于將所述工作電壓和所述反向本體偏置電壓與每個功能電路耦合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，其中所述偏置電路進(jìn)一步包括第二多路復(fù)用器，所述第二多路復(fù)用器被配置用于將工作接地和反向本體偏置源接地與每個功能電路耦合。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中在被反向本體偏置時(shí)的每個晶體管的本體泄漏電流與同該晶體管相關(guān)聯(lián)的所述功能電路的功率損耗相比能夠忽略。
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