[發明專利]SOI工藝的靜電保護結構及其構成的靜電保護電路

在審

• 申請號: 201410708903.5
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104465666A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 蘇慶
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種SOI工藝的靜電保護結構，在絕緣襯底硅上設有一硅控整流器，其特征是，該靜電保護結構包括：

襯底上方有一場氧化絕緣埋層，場氧化絕緣埋層上方有淀積一層硅體，硅體從左到右分別依次設有P型阱、第一N型擴散區和N型阱，在P型阱和N型阱上方分別設有多晶硅柵，P型阱左側具有呈相間排列的第二P型擴散區和第二N型擴散區，N型阱的右側具有呈相間排列的第三P型擴散區和第三N型擴散區；

所有第二P型擴散區和第二N型擴散區通過連線連接作為接地端，所有第三P型擴散區和第三N型擴散區通過連線連接作為靜電進入端。

2.如權利要求1所述SOI工藝的靜電保護結構，其特征是：第一N型擴散區位于P型阱和N型阱之間的場氧化絕緣埋層上方。

3.如權利要求1所述SOI工藝的靜電保護結構，其特征是：第一N型擴散區位于P型阱和N型阱上方，P型阱和N型阱在第一N型擴散區下方相切，將第一P型擴散區與場氧化絕緣埋層隔離。

4.如權利要求1所述SOI工藝的靜電保護結構，其特征是：硅體從左到右分別依次設有P型阱、第一P型擴散區和N型阱。

5.如權利要求4所述SOI工藝的靜電保護結構，其特征是：第一P型擴散區位于P型阱和N型阱之間的場氧化絕緣埋層上方。

6.如權利要求4所述SOI工藝的靜電保護結構，其特征是：第一P型擴散區位于P型阱和N型阱上方，P型阱和N型阱在第一P型擴散區下方相切，將第一P型擴散區與場氧化絕緣埋層隔離。

7.一種靜電保護電路，包括權利要求1-6任意一項所述SOI工藝靜電保護結構，其特征是：所述SOI工藝靜電保護結構的靜電進入端連接輸入輸出焊墊和內部電路的一端，所述SOI工藝靜電保護結構的接地端連接地和內部電路的另一端。