[發(fā)明專利]一種基于變換介質(zhì)的光子晶體彎折波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410708468.6
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN104360439B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王身云;季靈;許燕
• 申請（專利權(quán)）人: 南京信息工程大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B6/125
• 分類號(hào): G02B6/125
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 吳樹山

1.一種基于變換介質(zhì)的光子晶體彎折波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括光子晶體直角波導(dǎo)、外圍隔離層(PEC)，該光子晶體直角波導(dǎo)的周邊設(shè)置有外圍隔離層(PEC)，其特征在于，所述光子晶體直角波導(dǎo)由光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)、變換光子晶體波導(dǎo)1區(qū)域(ABC’)和變換光子晶體波導(dǎo)2區(qū)域(AC’D’)構(gòu)成，其中：所述變換光子晶體波導(dǎo)1區(qū)域(ABC’)和變換光子晶體波導(dǎo)2區(qū)域(AC’D’)分別為背景介質(zhì)的三角區(qū)域，所述光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)變換到背景介質(zhì)的三角區(qū)域，由此構(gòu)成光子晶體波導(dǎo)彎折空間區(qū)域；其中：

所述光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)為相對(duì)介電常數(shù)ε_d＝11.0的GaAs介質(zhì)圓柱呈周期性排列構(gòu)成的正方晶格，該正方晶格的常數(shù)設(shè)為a，該GaAs介質(zhì)圓柱的占空比πr²/a²設(shè)為0.25；

所述變換光子晶體波導(dǎo)1區(qū)域(ABC’)的介電常數(shù)為：磁導(dǎo)率參數(shù)為其中：A為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABC)到變換光子晶體波導(dǎo)1區(qū)域(ABC’)的空間變換Jacobian矩陣，ε_d為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)中GaAs介質(zhì)柱的相對(duì)介電常數(shù)，μ_d為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)中GaAs介質(zhì)柱的磁導(dǎo)率參數(shù)；

所述變換光子晶體波導(dǎo)2區(qū)域(AC’D’)的介電常數(shù)為：磁導(dǎo)率參數(shù)為：其中：B為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ACD)到變換光子晶體波導(dǎo)2區(qū)域(AC’D’)的空間變換Jacobian矩陣，ε_d為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)中GaAs介質(zhì)柱的相對(duì)介電常數(shù)，μ_d為光子晶體波導(dǎo)區(qū)域(ABEF)中GaAs介質(zhì)柱的磁導(dǎo)率參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于變換介質(zhì)的光子晶體彎折波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外圍隔離層(PEC)的材質(zhì)為銅導(dǎo)體或者銀導(dǎo)體。