[發(fā)明專利]一種基于變換介質的光子晶體彎折波導結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410708468.6
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104360439B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設計）人: 王身云;季靈;許燕
• 申請（專利權）人: 南京信息工程大學
• 主分類號: G02B6/125
• 分類號: G02B6/125
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 吳樹山

1.一種基于變換介質的光子晶體彎折波導結構，包括光子晶體直角波導、外圍隔離層(PEC)，該光子晶體直角波導的周邊設置有外圍隔離層(PEC)，其特征在于，所述光子晶體直角波導由光子晶體波導區(qū)域(ABEF)、變換光子晶體波導1區(qū)域(ABC’)和變換光子晶體波導2區(qū)域(AC’D’)構成，其中：所述變換光子晶體波導1區(qū)域(ABC’)和變換光子晶體波導2區(qū)域(AC’D’)分別為背景介質的三角區(qū)域，所述光子晶體波導區(qū)域(ABEF)變換到背景介質的三角區(qū)域，由此構成光子晶體波導彎折空間區(qū)域；其中：

所述光子晶體波導區(qū)域(ABEF)為相對介電常數(shù)ε_d＝11.0的GaAs介質圓柱呈周期性排列構成的正方晶格，該正方晶格的常數(shù)設為a，該GaAs介質圓柱的占空比πr²/a²設為0.25；

所述變換光子晶體波導1區(qū)域(ABC’)的介電常數(shù)為：磁導率參數(shù)為其中：A為光子晶體波導區(qū)域(ABC)到變換光子晶體波導1區(qū)域(ABC’)的空間變換Jacobian矩陣，ε_d為光子晶體波導區(qū)域(ABEF)中GaAs介質柱的相對介電常數(shù)，μ_d為光子晶體波導區(qū)域(ABEF)中GaAs介質柱的磁導率參數(shù)；

所述變換光子晶體波導2區(qū)域(AC’D’)的介電常數(shù)為：磁導率參數(shù)為：其中：B為光子晶體波導區(qū)域(ACD)到變換光子晶體波導2區(qū)域(AC’D’)的空間變換Jacobian矩陣，ε_d為光子晶體波導區(qū)域(ABEF)中GaAs介質柱的相對介電常數(shù)，μ_d為光子晶體波導區(qū)域(ABEF)中GaAs介質柱的磁導率參數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于變換介質的光子晶體彎折波導結構，其特征在于所述外圍隔離層(PEC)的材質為銅導體或者銀導體。