[發明專利]一種有機發光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410708390.8
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104393188A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 宋泳錫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種有機發光二極管顯示基板，包括襯底基板以及設置于襯底基板上的薄膜晶體管和受所述薄膜晶體管驅動的有機發光二極管，所述有機發光二極管在遠離所述襯底基板的方向上依次包括：陽極、有機層和陰極，其特征在于，所述有機發光二極管顯示基板還包括：與所述陰極并聯的輔助電極。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板，其特征在于，所述輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極或柵電極同層同材料設置。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板，其特征在于，所述輔助電極與所述陽極同層同材料設置。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板，其特征在于，所述輔助電極包括：

通過連接孔連接的第一子輔助電極和第二子輔助電極；其中，所述第一子輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極、柵電極或所述陽極同層同材料設置，所述第二子輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極、柵電極或所述陽極同層同材料設置，所述第一子輔助電極與第二子輔助電極位于不同層。

5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示基板，其特征在于，所述有機發光二極管顯示基板具體包括：

襯底基板；

柵電極；

柵絕緣層；

有源層；

同層同材料設置的源漏電極和第一子輔助電極；

平坦保護層，具有貫穿所述平坦保護層的連接孔；

同層同材料設置的陽極和第二子輔助電極，所述第二子輔助電極通過所述連接孔與所述第一子輔助電極連接；

像素定義層，所述陽極和所述第二子輔助電極至少部分不被所述像素定義層覆蓋；

有機層；

陰極，所述陰極與所述第二子輔助電極連接。

6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示基板，其特征在于，還包括：

與第一子輔助電極同層同材料設置的低電平線，所述低電平線分別與所述第一子輔助電極和陰極連接。

7.一種有機發光二極管顯示基板的制作方法，其特征在于，包括在襯底基板上形成薄膜晶體管和受所述薄膜晶體管驅動的有機發光二極管的步驟，所述有機發光二極管在遠離所述襯底基板的方向上依次包括：陽極、有機層和陰極，其特征在于，所述方法還包括：形成與所述陰極并聯的輔助電極的步驟。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極或柵電極通過一次構圖工藝形成。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述輔助電極與所述陽極通過一次構圖工藝形成。

10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成與所述陰極并聯的輔助電極的步驟包括：

分別形成所述輔助電極的第一子輔助電極和第二子輔助電極，所述第一子輔助電極和所述第二子輔助電極通過連接孔連接，所述第一子輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極、柵電極或所述陽極通過一次構圖工藝形成，所述第二子輔助電極與所述薄膜晶體管的源漏電極、柵電極或所述陽極通過一次構圖工藝形成，所述第一子輔助電極與第二子輔助電極位于不同層。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

在襯底基板上形成柵電極；

形成柵絕緣層；

形成有源層；

通過一次構圖工藝形成源漏電極和第一子輔助電極；

形成平坦保護層，并形成貫穿所述平坦保護層的連接孔；

通過一次構圖工藝形成陽極和第二子輔助電極，所述第二子輔助電極通過所述連接孔與所述第一子輔助電極連接；

形成像素定義層，所述陽極和所述第二子輔助電極至少部分不被所述像素定義層覆蓋；

形成有機層；

形成陰極，所述陰極與所述第二子輔助電極連接。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，

通過一次構圖工藝形成源漏電極和第一子輔助電極的同時形成低電平線，所述低電平線分別與所述第一子輔助電極和陰極連接。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的有機發光二極管顯示基板。