[發明專利]多層電子元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410708202.1
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104979080A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 樸正賢
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F1/11;H01F41/02
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 李婉婉;金迪

1.一種多層電子元件，該多層電子元件包括：

包括多個磁性層的陶瓷體；

設置在磁性層間的非磁性層；

設置在陶瓷體中的在多個磁性層和非磁性層中的至少一個層上的并具有多個彼此電連接的內部線圈圖案的內部線圈部件；以及

設置在陶瓷體上且與內部線圈部件連接的外部電極；

其中，所述非磁性層含有Nb₂O₅系介電材料。

2.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述Nb₂O₅系介電材料包括ZnO-Nb₂O₅、ZnO-TiO₂-Nb₂O₅、BaO-Nb₂O₅、BaO-TiO₂-Nb₂O₅和Bi₂O₃-Nb₂O₅系介電材料中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層含有V₂O₅。

4.根據權利要求3所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層中含有的Nb₂O₅：V₂O₅的摩爾比在0.9：0.1至0.6：0.4的范圍內。

5.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層含有含量為7-20重量％的玻璃料。

6.根據權利要求5所述的多層電子元件，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層設置在內部線圈部件內側。

8.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層的區域的一部分含有介電材料，并且不含有介電材料的所述非磁性層的區域含有與所述磁性層的材料相同的材料。

9.根據權利要求1所述的多層電子元件，其中，所述非磁性層的區域的一部分含有介電材料，并且不含有介電材料的所述非磁性層的區域為空的。

10.一種制造多層電子元件的方法，該方法包括：

制備多個磁性片；

制備一個或多個含有Nb₂O₅系介電材料的非磁性片；

在磁性片和非磁性片中的至少一個片上形成內部線圈圖案；

層疊磁性片和非磁性片以形成內部線圈部件和陶瓷體；以及

在陶瓷體的端表面上形成與內部線圈部件連接的外部電極。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述Nb₂O₅系介電材料包括ZnO-Nb₂O₅、ZnO-TiO₂-Nb₂O₅、BaO-Nb₂O₅、BaO-TiO₂-Nb₂O₅和Bi₂O₃-Nb₂O₅系介電材料中的至少一種。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有V₂O₅。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述非磁性片中含有的Nb₂O₅：V₂O₅的摩爾比在0.9：0.1至0.6：0.4的范圍內。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有含量為7-20重量％的玻璃料。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一種。

16.根據權利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片設置在內部線圈部件內側。