[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410707060.7
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702581B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周潔鵬;陳志剛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳圳添;駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成應(yīng)力層覆蓋所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)；

對所述應(yīng)力層表面進(jìn)行臭氧等離子體處理，以在所述應(yīng)力層表面形成氧化薄層，所述氧化薄層的厚度范圍為

在所述臭氧等離子體處理后，在所述應(yīng)力層上形成層間介質(zhì)層；

采用高深寬比工藝形成所述層間介質(zhì)層，采用正硅酸乙酯形成所述層間介質(zhì)層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等離子體處理中，采用的臭氧流量范圍為17000sccm～18000sccm。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等離子體處理中，采用的處理時間范圍為35s～45s。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等離子體處理中，采用的溫度范圍為370℃～430℃。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等離子體處理中，采用的壓強范圍為4Tott～10Tott。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的材料為氮化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力層具有拉伸應(yīng)力或者壓縮應(yīng)力。