[發明專利]一種用于醫療電子的運算放大器有效
| 申請號： | 201410706891.2 | 申請日： | 2015-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN104506151A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發明（設計）人： | 鄭文鋒;屈熹;劉珊;楊波;林鵬;李曉璐;郝志莉 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 溫利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 醫療 電子 運算放大器 | ||
1.一種用于醫療電子的運算放大器，包括依次連接的偏置電路、第一級放大電路、第二級放大電路和第三級放大電路，其特征在于，在第一級到第三級放大電路上連接一個補償電容Cc，該補償電容Cc一端連接運算放大器輸出端，另一端連接在第一級放大電路的輸出管柵極。
2.根據權利要求1所述的運算放大器，其特征在于，所述的偏置電路包括：PMOS管MP11和外部恒定偏置電流源IB；
PMOS管MP11的源極連接電源電壓VDD，PMOS管MP11的柵極連接到外部恒定偏置電流源IB，PMOS管MP11的柵極、漏極和PMOS管MP2的柵極均相連接，用于生成PMOS管的恒定偏置電壓VBP；
所述的第一級放大電路包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7，NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4和第一補償電容Cc；
PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP6、PMOS管MP7的源極分別連接電源電壓VDD；
PMOS管MP1的柵極、PMOS管MP2的柵極、PMOS管MP3的柵極與外部恒定偏置電壓源IB相連接；
PMOS管MP1的漏極、PMOS管MP4源極、PMOS管MP5源極相連接；
PMOS管MP2的漏極、PMOS管MP4的漏極、NMOS管MN1的漏極、NMOS管MN1的柵極、NMOS管MN4的柵極與補償電容Cc一端相連接；
PMOS管MP3的漏極、PMOS管MP5的漏極、NMOS管MN2的漏極、NMOS管MN2的柵極、NMOS管MN3的柵極，以及第二放大器中NMOS管MN6的柵極相連接；
NMOS管MN3的漏極與PMOS管MP6的柵極、PMOS管MP6的漏極、PMOS管MP7的柵極相連接；
NMOS管MN4的漏極與PMOS管MP7的漏極、第二級放大器中的PMOS管MP8的柵極、PMOS管MP9的柵極相連接；
NMOS管MN1的源極、NMOS管MN2的源極、NMOS管MN3的源極、NMOS管MN4的源極分別接地；
所述的第二級放大器包括PMOS管MP8、PMOS管MP9和NMOS管MN5、NMOS管MN6；
PMOS管MP8的柵極與PMOS管MP9的柵極相連接，再與PMOS管MP7的漏極、以及第一放大器中NMOS管MN4的漏極相連接；
PMOS管MP8的漏極、NMOS管MN5的漏極、NMOS管MN5的柵極、第三級放大器中NMOS管MN7的柵極相連接；
PMOS管MP8、PMOS管MP9的源極分別連接到電源電壓VDD；
PMOS管MP9的漏極、NMOS管MN6的漏極、第三級放大器中PMOS管MP10的柵極相連接；
NMOS管MN6的柵極與第一放大器中PMOS管MP3的漏極、PMOS管MP5的漏極、NMOS管MN2的漏極、NMOS管MN2的柵極、NMOS管MN3的柵極相連接；
NMOS管MN5、NMOS管MN6的源極分別接地；
所述的第三級放大器包括PMOS管MP10和NMOS管MN7；
PMOS管MP10的源極連接到電源電壓VDD；
PMOS管MP10的柵極與第二級放大器中PMOS管MP9的漏極、NMOS管MN6的漏極相連接；
PMOS管MP10的漏極與NMOS管MN7的漏極、第一補償電容Cc另一端相連接入到運算放大器的輸出端VOUT。
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