[發明專利]一種微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝在審
| 申請號: | 201410706738.X | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104409529A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 徐世貴;王立建 | 申請(專利權)人: | 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
| 地址: | 214203 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微結構 多晶 太陽能電池 制作 工藝 | ||
1.一種微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝,其特征在于,包括如下步驟:
⑴采用H2O2與水的混合溶液對制絨前的硅片進行預清洗;
⑵將清洗后的硅片利用硝酸、氫氟酸、異丙醇及水混合的腐蝕液進行腐蝕制絨,反應溫度為3~20℃,反應時間為2~10min,所述腐蝕液中硝酸的質量百分比為5%~60%,氫氟酸的質量百分比為4%~50%,異丙醇的質量百分比為5%~40%,余量為水;
⑶表面腐蝕制絨后的硅片通過氫氧化鈉與水混合的表面處理液進行表面處理;
⑷對硅片表面殘余的液體進行中和清洗,隨后進行烘干,即可得到微結構絨面的硅片;
⑸將制得的微結構絨面硅片進行擴散處理,擴散采用三氯氧磷作為擴散源,反應溫度為700~900℃,氣體濃度為100~1000sccm,反應時間為30~100min;
⑹將上述制得的微結構硅片進行去PSG處理,采用氫氟酸與水的混合溶液進行處理,混合溶液中氫氟酸的質量百分比為4%~50%,反應溫度為5~20℃,反應時間為2~10min;
⑺在去除PSG的微結構絨面硅片上制備減反射膜;
⑻在硅片上安裝上下電極即可得到微結構絨面的太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝,其特征在于:所述的預清洗液體中的H2O2的質量百分比為5%~60%,預清洗溫度為10~80℃,預清洗時間為2~40min。
3.根據權利要求1所述的微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝,其特征在于:所述的表面處理液體中氫氧化鈉的質量百分比為10%~60%,此工序反應溫度為20~70℃,反應時間為2~10min。
4.根據權利要求1所述的微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝,其特征在于:所述減反射膜的制備以SiH4和NH3為反應氣體,沉積溫度為300-500℃,沉積壓強為0.02?mbar?-0.2mbar,功率為2500~5000W,時間為15~40min?,SiH4和NH3的體積比為1:1~1:3。
5.根據權利要求1所述的微結構絨面多晶硅太陽能電池制作工藝,其特征在于:所述的微結構硅片的上下電極制備選用銀漿、鋁漿作為反應原料,反應溫度為200~1000℃,反應時間為5~20min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





