[發明專利]一種用于圖形化襯底的掩膜

有效

• 申請號: 201410706301.6
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702566B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 張吉初;方浩;蔡迅;肖青平;梁曉乾
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述掩膜上刻有圖形化襯底用的圖形，以實現所述掩膜被劃分成多個微單元，每個所述微單元的側壁和底面之間的傾斜角度為銳角，以使在工藝參數為：腔室壓力范圍在2～3mT；上電極功率范圍在1800～2200W；下電極功率范圍在100～500W；刻蝕氣體包括BCl₃和CHF₃，刻蝕氣體的氣流量范圍在60～150sccm的主刻蝕工藝環境下，所述微單元的底寬在主刻蝕步驟進行10分鐘之內就開始收縮，從而降低圖形化襯底工藝過程中側壁上拐角的最高高度；每個所述微單元的側壁為曲面。

2.根據權利要求1所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述傾斜角度的范圍在60°～85°。

3.根據權利要求2所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述傾斜角度的范圍在65°～80°。

4.根據權利要求1所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，每個所述微單元的縱切面的形狀為梯形或三角形。

5.根據權利要求1所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述掩膜采用光刻工藝制成。

6.根據權利要求1所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述掩膜采用壓印工藝制成。

7.根據權利要求1所述的用于圖形化襯底的掩膜，其特征在于，所述掩膜包括光刻膠掩膜。