[發明專利]用于顯示裝置的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201410705200.7
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104681566B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 白正善;金珉朱;金正五;尹凈基;金容玟
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

技術領域

本發明涉及顯示裝置，并且更具體地，涉及一種用于包括沒有減小孔徑比的存儲電容器的顯示裝置的陣列基板和一種通過減少掩模工藝的數量來制造陣列基板的方法。

背景技術

陰極射線管(CRT)已被廣泛地用作顯示裝置。然而，近來，平板顯示裝置(例如，等離子體顯示面板(PDP)裝置、液晶顯示(LCD)裝置和有機發光二極管(OLED)顯示裝置)代替CRT被用作顯示裝置。

在這些平板顯示裝置當中，OLED顯示裝置在厚度和重量方面具有優點，因為OLED顯示裝置不需要背光單元。OLED顯示裝置是自發射型顯示裝置。近來，OLED顯示裝置被用于大型顯示裝置。

圖1是用于現有技術的OLED顯示裝置的陣列基板的截面圖。

如圖1所示，在用于OLED顯示裝置的陣列基板中，選通線(未示出)和數據線32形成在基板10上并在基板10上方。選通線和數據線32彼此交叉以限定基板10上的像素區域。另外，公共電壓線(未示出)可以形成在各個像素區域中并且與數據線32平行。

第一薄膜晶體管(TFT)TR1和第二TFT?TR2形成在選通線和數據線32的交叉部分。第一TFT?TR1和第二TFT?TR2分別用作切換元件和驅動元件。

第一TFT?TR1包括第一半導體層17、第一柵電極11、第一源電極12和第一漏電極13。第一柵電極11通過柵絕緣層14與第一半導體層17間隔開。層間絕緣層31覆蓋第一柵電極11并且包括暴露第一半導體層17的兩端的接觸孔。第一源電極12和第一漏電極13形成在層間絕緣層31上，并且通過層間絕緣層31中的接觸孔分別連接至第一半導體層17。

第二TFT?TR2包括第一半導體層27、第二柵電極21、第二源電極22和第二漏電極23。第二柵電極21通過柵絕緣層14與第二半導體層27間隔開。層間絕緣層31覆蓋第二柵電極21并且包括暴露第二半導體層27的兩端的接觸孔。第二源電極22和第二漏電極23形成在層間絕緣層31上，并且通過層間絕緣層31中的接觸孔分別連接至第二半導體層27。

第一源電極12連接至數據線32，并且第二源電極22連接至公共電壓線。

第一TFT?TR1的第一漏電極13連接至第二電容器電極16，并且第二漏電極23連接至第一電容器電極15。第二電容器電極16與第一電容器電極15交疊以形成存儲電容器Cst。

陽電極19被形成為電連接至第二漏電極23。另外，有機發射層(未示出)和陰電極(未示出)層疊在陽電極(19)上，使得形成用于OLED顯示裝置的陣列基板。

在OLED顯示裝置中，來自陽電極19的空穴和來自陰電極的電子在有機發射層中結合，使得從有機發射層發射光。當陰電極由不透明金屬材料形成時，來自有機發射層的光通過包括第一TFT?TR1和第二TFT?TR2的基板10。

用于控制像素的電流的電壓被充電在存儲電容器Cst中，使得電流的電平被維持到下一幀。當存儲電容器Cst的區域被增大以改進驅動安全性時，孔徑比減小，因為第一電容器電極15和第二電容器電極16由不透明金屬材料形成。

為了解決上述問題，存儲電容器Cst的區域被優化成針對像素驅動具有最小電容量。然而，因為單位面積中的像素的數量根據高分辨率而增加，所以各個像素的面積減少。結果，非常難以在像素中形成存儲電容器。另一方面，引入了多結構型存儲電容器。然而，用于多結構型存儲電容器的制造工藝是復雜的，使得生產產量減小。

發明內容

因此，本發明致力于基本上消除了由于現有技術的局限和缺點而導致的一個或更多個問題的用于OLED顯示裝置的陣列基板及其制造方法。

本發明的附加的特征和優點將在以下的描述中闡述，并且將部分地從本說明書變得顯而易見，或者可以通過本發明的實踐學習到。本發明的目標和其它優點將通過在所撰寫的說明書及其權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。