[發明專利]基于炭黑吸收層的熱釋電紅外探測器及其制造方法在審
| 申請號： | 201410701537.0 | 申請日： | 2014-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104409554A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 劉子驥;梁志清;王濤;黎威志;鄭興;蔣亞東 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/18;G01J5/02 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 炭黑 吸收 熱釋電 紅外探測器 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造基于炭黑吸收層的熱釋電紅外探測器的方法，其特征在于，包括：
制備熱釋電晶體襯底；
在所述熱釋電晶體襯底的一側上沉積鎳鉻合金層，形成上電極；
在所述上電極上沉積炭黑紅外吸收層；
在所述熱釋電晶體襯底的與所述上電極相反的側上沉積鎳鉻合金層，形成下電極；
將所述下電極金屬鍵合到高熱阻抗基底上；
將所述炭黑紅外吸收層的表面的至少一部分加工成納米形貌結構，形成紅外敏感吸收層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述熱釋電晶體襯底為鉭酸鋰晶片。
3.如權利要求1或者2所述的方法，其特征在于，所述制備熱釋電晶體襯底的步驟包括：將熱釋電晶體材料進行研磨、拋光、化學腐蝕和/或清洗處理，獲得熱釋電晶體襯底。
4.如權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述熱釋電晶體襯底的一側上沉積鎳鉻合金層的步驟包括：用射頻磁控濺射方法在所述熱釋電晶體襯底的一側上沉積鎳鉻合金層。
5.如權利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述上電極上沉積炭黑紅外吸收層的步驟包括：用電噴法在所述上電極上沉積所述炭黑紅外吸收層。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述熱釋電晶體襯底的與所述上電極相反的側上沉積鎳鉻合金層的步驟包括：用射頻磁控濺射方法在所述熱釋電晶體襯底的與所述上電極相反的側上沉積鎳鉻合金層。
7.如權利要求1至6中任意一項所述的方法，其特征在于，所述將所述炭黑紅外吸收層的表面的至少一部分加工成納米形貌結構的步驟包括：用電噴沉積法將所述炭黑紅外吸收層的表面的至少一部分加工成納米形貌結構。
8.如權利要求1至7中任意一項所述的方法，其特征在于，在將所述下電極金屬鍵合到高熱阻抗基底上之前還包括：在所述高熱阻抗基底的表面上形成引線電極，并且使當所述下電極被金屬鍵合到所述高熱阻抗基底上時所述下電極與所述引線電極接觸。
9.一種基于炭黑吸收層的熱釋電紅外探測器，其特征在于，包括：
熱釋電晶體襯底；
上電極，所述上電極形成在所述熱釋電晶體襯底的一側上；
紅外敏感吸收層，所述紅外敏感吸收層形成在所述上電極上，所述紅外敏感吸收層包括炭黑紅外吸收層，所述炭黑紅外吸收層的表面的至少一部分包括納米形貌結構；
下電極，所述下電極形成在所述熱釋電晶體襯底的與所述上電極相反的側上；
高熱阻抗基底，所述下電極金屬鍵合到所述高熱阻抗基底上。
10.如權利要求9所述的基于炭黑吸收層的熱釋電紅外探測器，其特征在于：還包括引線電極，所述引線電極形成在所述高熱阻抗基底的表面上并與所述下電極接觸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
