[發明專利]一種熱釋電紅外探測器敏感單元及其制造方法

有效

• 申請號: 201410701417.0
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104465851A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 劉子驥;梁志清;王濤;黎威志;于賀;王軍
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/18
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造熱釋電紅外探測器敏感單元的方法，其特征在于，包括：

制備鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并在所述第一表面上形成第一圖形；

在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜；

在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜，并在所述鎳金屬薄膜上形成第二圖形；

在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層，并在所述第一鉻鎳合金層上形成第三圖形；

在所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極；

在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層，并在所述第二鉻鎳合金層上形成第四圖形；

在所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制備鉭酸鋰晶片襯底的步驟包括：對所述第一表面和第二表面進行機械減薄拋光和化學腐蝕處理。

3.如權利要求1或者2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜的步驟包括：使用磁控濺射方法在所述第一表面上形成厚度為15至25納米的鉻金屬薄膜。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜的步驟包括：使用磁控濺射方法在所述鉻金屬薄膜上形成厚度為55至65納米的鎳金屬薄膜。

5.如權利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于：所述在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層的步驟包括：使用磁控濺射方法或者熱蒸發方法在所述鎳金屬薄膜上形成所述第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。

6.如權利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于：所述在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層的步驟包括：使用磁控濺射方法或者熱蒸發方法在所述第二表面上形成所述第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。

7.一種熱釋電紅外探測器敏感單元，其特征在于，包括：

鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并且所述第一表面上形成有第一圖形；

鉻金屬薄膜，所述鉻金屬薄膜形成在所述第一表面上；

鎳金屬薄膜，所述鎳金屬薄膜形成在所述鉻金屬薄膜上，并且所述鎳金屬薄膜上形成有第二圖形；

第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層形成在所述鎳金屬薄膜上，所述第一鉻鎳合金層上形成有第三圖形，并且所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極；

第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層形成在所述第二表面上，所述第二鉻鎳合金層上形成由第四圖形，并且所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。

8.如權利要求7所述的熱釋電紅外探測器敏感單元，其特征在于：所述鉻金屬薄膜的厚度為15至25納米；所述鎳金屬薄膜的厚度為55至65納米。

9.如權利要求7或者8所述的熱釋電紅外探測器敏感單元，其特征在于：所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。

10.如權利要求7至9中任意一項所述的熱釋電紅外探測器敏感單元，其特征在于：所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。