[發(fā)明專利]一種聚焦電子束蒸發(fā)源及蒸發(fā)鍍膜裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410698963.3 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104611672A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張賽;孫雪平;易文杰;彭立波 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C14/30 | 分類號(hào): | C23C14/30 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 馬強(qiáng) |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聚焦 電子束 蒸發(fā) 鍍膜 裝置 | ||
1.?一種聚焦電子束蒸發(fā)源,其特征在于,包括:
電子束產(chǎn)生裝置(10):用于產(chǎn)生大束流平行電子束(11);
電子束傳輸裝置:用于使所述大束流平行電子束(11)加速后聚集為匯聚束(12),并傳輸?shù)诫娮邮钚∈呶恢茫?3);
蒸發(fā)材料輸送裝置(16):用于在接收到電子束檢測裝置(15)的檢測信號(hào)后將絲狀蒸發(fā)材料(17)輸送到所述電子束最小束斑位置(13);
至少一個(gè)電子束檢測裝置(15):用于檢測經(jīng)過電子束最小束斑位置(13)之后的發(fā)散束(14)。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦電子束蒸發(fā)源,其特征在于,所述絲狀蒸發(fā)材料的縱截面直徑與所述匯聚束(12)的最小束斑直徑匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚焦電子束蒸發(fā)源,其特征在于,所述電子束產(chǎn)生裝置為環(huán)行槍、直槍、e型槍、空心陰極槍中的一種。
4.一種聚焦電子束蒸發(fā)鍍膜裝置,包括真空腔體(41);待鍍膜基片(43)放置在所述真空腔體(41)內(nèi);所述真空腔體(41)與抽氣系統(tǒng)(44)連通;其特征在于,所述待鍍膜基片(43)下方的真空腔體(41)內(nèi)設(shè)置有權(quán)利要求1~3之一所述的聚焦電子束蒸發(fā)源。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





