[發(fā)明專利]氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410698444.7
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104409515A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鳳娟;閆梁臣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/34
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種氧化物薄膜晶體管，包括襯底基板，以及位于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，其特征在于，還包括位于所述源極和所述漏極下的導(dǎo)電的保護(hù)層，所述源極和所述漏極通過所述保護(hù)層與所述有源層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述保護(hù)層的材質(zhì)為石墨烯和/或碳納米管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述保護(hù)層的厚度為0.1-5nm。

4.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的氧化物薄膜晶體管。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求4所述的陣列基板。

6.一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成柵極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形；

在形成了包括所述柵極的圖形的所述襯底基板上，形成柵極絕緣層；

在形成了包括所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；

在形成了包括所述有源層的圖形的所述襯底基板上，形成導(dǎo)電的保護(hù)層；

在形成了所述保護(hù)層的所述襯底基板上，形成源漏極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形；

對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，使所述源極和所述漏極未覆蓋的所述保護(hù)層不導(dǎo)電。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，包括：在常壓下對所述保護(hù)層進(jìn)行空氣或氧氣退火處理，或者，在低壓下對所述保護(hù)層進(jìn)行氧氣退火處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

退火溫度為200～800℃，退火時(shí)間為10min～200min。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，包括：使用N₂O等離子體或者O₂等離子體對所述保護(hù)層進(jìn)行處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述使用N₂O等離子體或者O₂等離子體對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，包括：在低壓或真空環(huán)境下，通入N₂O或者O₂氣體，在200W～800W的功率下，使N₂O或者O₂氣體放電，生成N₂O或者O₂等離子體，對所述保護(hù)層進(jìn)行干法轟擊處理，處理時(shí)間為10s～500s。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，包括：使用含有H₂O₂的液體對所述保護(hù)層進(jìn)行處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述使用含有H₂O₂的液體對所述保護(hù)層進(jìn)行處理，包括：將含有H₂O₂的液體噴淋至所述保護(hù)層上，對所述保護(hù)層進(jìn)行濕法處理，或者，將所述保護(hù)層浸泡至含有H₂O₂的液體中，對所述保護(hù)層進(jìn)行濕法處理；其中，液體中H₂O₂的濃度為0.1％～50％，處理時(shí)間為1s～100s。