[發明專利]一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池及其制備方法在審
| 申請號： | 201410697608.4 | 申請日： | 2014-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104576929A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發明（設計）人： | 戴松元;朱俊;姚建曦;譚占鰲;胡林華 | 申請（專利權）人： | 華北電力大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44 |
| 代理公司： | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 102206 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦 硫化鉛 量子 點疊層 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，包括有透明電極，其特征在于：透明電極上沉積有由寬禁帶半導體氧化物薄膜構成的電子傳輸層，電子傳輸層上制備有鈣鈦礦層，鈣鈦礦層上旋涂有硫化鉛量子點層，硫化鉛量子點層上蒸鍍有金屬對電極。
2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的透明電極為氧化銦錫，或者是氟摻雜氧化錫覆蓋的玻璃，或者是聚合物基底。
3.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的電子傳輸層厚度為30?-500?nm。
4.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：作為電子傳輸層的寬禁帶半導體氧化物薄膜，其中氧化物是氧化鈦，或者是氧化鋅，或者是氧化錫。
5.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的鈣鈦礦層為CH3NH3MI3-xBx，其中x=0-3,M選自Pb或Sn，B選自I或Cl或Br。
6.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的硫化鉛量子點大小為2-10?nm。
7.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的硫化鉛量子點層厚度為15-400?nm。
8.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的金屬對電極為金電極或銀電極。
9.一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）、將電子傳輸層沉積到透明電極上，于100-500℃下加熱30?min-5?h，獲得30-600?nm厚的電子傳輸層；
（2）、在電子傳輸層上制備鈣鈦礦層，于60-180℃下加熱15?min-2?h，獲得100-600?nm厚的鈣鈦礦層；
（3）、將硫化鉛量子點旋涂于鈣鈦礦層上，獲得15-400?nm厚的硫化鉛量子點層；
（4）、在真空條件下，蒸鍍40-200?nm金屬電極，獲得鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
