[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410697608.4
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104576929A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴松元;朱俊;姚建曦;譚占鰲;胡林華
• 申請（專利權(quán)）人: 華北電力大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，包括有透明電極，其特征在于：透明電極上沉積有由寬禁帶半導體氧化物薄膜構(gòu)成的電子傳輸層，電子傳輸層上制備有鈣鈦礦層，鈣鈦礦層上旋涂有硫化鉛量子點層，硫化鉛量子點層上蒸鍍有金屬對電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的透明電極為氧化銦錫，或者是氟摻雜氧化錫覆蓋的玻璃，或者是聚合物基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的電子傳輸層厚度為30?-500?nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：作為電子傳輸層的寬禁帶半導體氧化物薄膜，其中氧化物是氧化鈦，或者是氧化鋅，或者是氧化錫。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的鈣鈦礦層為CH₃NH₃MI_3-xB_x，其中x=0-3,M選自Pb或Sn，B選自I或Cl或Br。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的硫化鉛量子點大小為2-10?nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的硫化鉛量子點層厚度為15-400?nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池，其特征在于：所述的金屬對電極為金電極或銀電極。

9.一種鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）、將電子傳輸層沉積到透明電極上，于100-500℃下加熱30?min-5?h，獲得30-600?nm厚的電子傳輸層；

（2）、在電子傳輸層上制備鈣鈦礦層，于60-180℃下加熱15?min-2?h，獲得100-600?nm厚的鈣鈦礦層；

（3）、將硫化鉛量子點旋涂于鈣鈦礦層上，獲得15-400?nm厚的硫化鉛量子點層；

（4）、在真空條件下，蒸鍍40-200?nm金屬電極，獲得鈣鈦礦-硫化鉛量子點疊層太陽電池。