[發(fā)明專利]嵌入式鍺硅器件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410697459.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN104409505A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鮑宇;周軍;朱亞丹;曾真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種嵌入式鍺硅器件的制作方法，其特征在于，包括：

在一半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極介電層、柵極以及圍繞在柵極和柵極介電層的兩側(cè)的第一側(cè)墻；

以所述柵極和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底的源/漏區(qū)以形成第一凹槽；

在第一凹槽中填充第一鍺硅，所述第一鍺硅的上表面不低于所述半導(dǎo)體襯底上表面；

在所述第一鍺硅上形成圍繞所述第一側(cè)墻的第二側(cè)墻；

以所述第二側(cè)墻、第一側(cè)墻和柵極為掩膜，刻蝕未被第二側(cè)墻覆蓋的第一鍺硅和半導(dǎo)體襯底以形成第二凹槽；

在所述第二凹槽中填充第二鍺硅，所述第一鍺硅和第二鍺硅的鍺濃度不同。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度大于

3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度為

4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度大于

5.如權(quán)利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度為

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鍺硅和第二鍺硅的上表面齊平或成階梯狀。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二凹槽中外延生長(zhǎng)第二鍺硅的步驟之前或之后，去除所述第二側(cè)墻。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一凹槽之后和/或形成第二凹槽之后，熱處理所述半導(dǎo)體襯底，和/或，氧化處理所述半導(dǎo)體襯底并去除形成的氧化層。

9.一種嵌入式鍺硅器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，

依次形成于半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層、柵極以及圍繞所述柵極的側(cè)墻，

嵌入在柵極至少一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中且橫向排列、鍺濃度不同的第一鍺硅和第二鍺硅，第一鍺硅和第二鍺硅的底部呈階梯狀，用于形成PMOS器件的源/漏極。

10.如權(quán)利要求9所述的嵌入式鍺硅器件，其特征在于，所述第一鍺硅的厚度大于所述第二鍺硅的厚度大于