[發(fā)明專利]一種監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410697355.0
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104465440A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱裕明;肖天金;余德欽
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供一硅襯底；

制備一柵氧化膜形成于所述硅襯底的生長區(qū)域；

在預(yù)設(shè)時刻停止制備所述柵氧化膜；

掃描所述硅襯底，對在所述硅襯底上形成柵氧化膜的區(qū)域和未形成柵氧化膜的區(qū)域進(jìn)行定位；

對形成柵氧化膜的區(qū)域與未形成柵氧化膜的區(qū)域進(jìn)行切片分析，以獲取所述柵氧化膜是否存在生長缺陷的監(jiān)測結(jié)果。

2.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，采用原位水汽生長的氧化工藝制備所述柵氧化膜。

3.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時刻的范圍為：15s～25s。

4.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，在所述預(yù)設(shè)時刻所述柵氧化膜生長的厚度的范圍為：10納米至20納米。

5.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，采用明場掃描的方式掃描所述硅襯底。

6.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，采用透射電子顯微鏡對形成柵氧化膜的區(qū)域與未形成柵氧化膜的區(qū)域進(jìn)行切片分析。

7.如權(quán)利要求6所述監(jiān)測原位水汽生長柵氧化膜的生長缺陷的方法，其特征在于，對所述切片分析的具體過程為：

采用透射電子顯微鏡獲取所述切片的圖像，判斷所述圖像中是否存在白亮的膜結(jié)構(gòu)，若存在白亮的膜結(jié)構(gòu)，則所述柵氧化膜正常；若不存在白亮的膜結(jié)構(gòu)，則所述柵氧化膜存在生長缺陷。