[發(fā)明專利]一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410697305.2
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104409380A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設計）人: 蔡恩靜
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，

提供一容量為64M的存儲器，所述存儲器包括有16個存儲單元，每個存儲單元包括有4個存儲量為1M的塊，每個所述塊內(nèi)部包括有一個存儲地址，每個所述存儲地址與一個IO端口一一對應，所述存儲器通過IO端口讀入被監(jiān)測器件的數(shù)據(jù)；

其中，8個存儲單元用于讀取所述被監(jiān)測器件的關(guān)鍵層的數(shù)據(jù)，另8個存儲單元用于讀取體現(xiàn)所示被監(jiān)測器件的低工作電壓良率的數(shù)據(jù)；

根據(jù)存入塊中數(shù)據(jù)的數(shù)量獲取所述器件的制程余量。

2.如權(quán)利要求1所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，包括下述步驟：

步驟1.將所述被監(jiān)測器件的關(guān)鍵層的分類分別存儲于相應的所述塊中；所述關(guān)鍵層包括四類：有源區(qū)、柵極、連接孔和通孔；

步驟2.將所述被監(jiān)測器件按照體現(xiàn)低工作電壓良率的數(shù)據(jù)分別存儲于相應的所述塊中；體現(xiàn)低工作電壓的良率包括五類數(shù)據(jù)：多晶硅到連接孔的距離、離子注入的尺寸、多晶硅到掩膜層的距離、傳輸飽和電流與上拉飽和電流之比、電流放大倍數(shù)；

步驟3.根據(jù)存入塊中的數(shù)據(jù)數(shù)量獲取所述器件的制程余量。

3.如權(quán)利要求2所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，步驟1中將所述被監(jiān)測器件的關(guān)鍵層的分類分別存儲的具體過程為：

將8個存儲單元按照關(guān)鍵層的分類平均分為4個區(qū)域，每個區(qū)域用于讀取一類關(guān)鍵層的尺寸，所述8個存儲單元為用于讀取被監(jiān)測器件的關(guān)鍵層的尺寸的存儲單元。

4.如權(quán)利要求3所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，每個所述區(qū)域中兩個所述塊用于讀取標準數(shù)據(jù)Q；其余的6個所述塊分別用于讀?。?Q-15％,Q-10％]，(Q-10％,Q-5％]，(Q-5％,Q]，(Q,Q+5％]，(Q+5％,Q+10％]和(Q+10％,Q+15％]。

5.如權(quán)利要求2所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，步驟2中將所述被監(jiān)測器件按照體現(xiàn)低工作電壓良率的數(shù)據(jù)分別存儲的具體過程為：

將8個存儲單元按照關(guān)鍵層的分類平均分為4個區(qū)域，其中3個區(qū)域分別用于讀?。核鲭x子注入的尺寸、所述傳輸飽和電流與上拉飽和電流之比和所述電流放大倍數(shù)；

另一個區(qū)域中的4個所述塊用于讀取多晶硅到連接孔的距離；另4個所述塊用于讀取多晶硅到掩膜層的距離；所述8個存儲單元為用于讀取體現(xiàn)所示被監(jiān)測器件的低工作電壓良率的數(shù)據(jù)的存儲單元。

6.如權(quán)利要求5所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，所述3個區(qū)域中每個所述區(qū)域中兩個所述塊用于讀取標準數(shù)據(jù)P；其余的6個所述塊分別用于讀取：(P-15％,P-10％]，(P-10％,P-5％]，(P-5％,P]，(P,P+5％]，(P+5％,P+10％]和(P+10％,P+15％]。

7.如權(quán)利要求5所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，所述4個用于讀取多晶硅到連接孔的距離的所述塊中有一個所述塊用于讀取的數(shù)據(jù)P；其余的3個所述塊分別用于讀取：(P-15％,P-10％]，(P-10％,P-5％]和(P-5％,P]；

所述4個用于讀取多晶硅到掩膜層的距離的所述塊中有一個所述塊用于讀取的數(shù)據(jù)P；其余的3個所述塊分別用于讀?。?P,P+5％]，(P+5％,P+10％]和(P+10％,P+15％]。

8.如權(quán)利要求7所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，步驟3中根據(jù)存入塊中的數(shù)據(jù)數(shù)量獲取所述器件的制程余量的具體過程為：

將讀取所述被監(jiān)測器件的所述塊的數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計，若非標準數(shù)據(jù)的個數(shù)超出總數(shù)據(jù)個數(shù)的十萬分之一，則所述被監(jiān)測器件的制成余量失效；若非標準數(shù)據(jù)的個數(shù)未超出總數(shù)據(jù)個數(shù)的十萬分之一，則所述被監(jiān)測器件合格。

9.如權(quán)利要求1所述一種采用存儲器監(jiān)測器件制程余量的方法，其特征在于，所述存儲器為靜態(tài)隨機存儲器。