[發明專利]平坦化半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201410697179.0
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702573B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 方偉南;陳建勛;莊子儀
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/302
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種平坦化半導體裝置的方法，包括以下步驟：

提供一基板，其上方形成一終止層；

形成一溝槽，在該基板中；

沉積一第一半導體層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽，并在該溝槽中呈U型；

沉積一第二半導體層，填滿該溝槽并且覆蓋該第一半導體層；以及

進行一化學機械研磨程序，直到該終止層被曝露出來；

其中該化學機械研磨程序對于該第一半導體層的移除速率高于對于該第二半導體層的移除速率。

2.如權利要求1所述的方法，還包括在形成該終止層之前的一步驟：形成一襯墊氧化層于該基板上。

3.如權利要求1所述的方法，還包括在沉積該第一半導體層之前的一步驟：形成一內襯氧化層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽。

4.如權利要求3所述的方法，還包括在形成該內襯氧化層之后的一步驟：各向異性地移除該終止層上的該內襯氧化層。

5.如權利要求4所述的方法，其中該終止層上的該內襯氧化層以等離子體輔助蝕刻法移除。

6.如權利要求1所述的方法，其中該終止層包括氮化硅。

7.如權利要求1所述的方法，其中該終止層的厚度為1500至

8.如權利要求7所述的方法，其中該終止層的厚度為

9.如權利要求1所述的方法，其中該溝槽的寬度為1至5μm。

10.如權利要求9所述的方法，其中該溝槽的寬度為2.8μm。

11.如權利要求1所述的方法，其中該第一半導體層具有未摻雜的多晶硅。

12.如權利要求11所述的方法，其中該化學機械研磨程序所使用的研磨液包括膠質二氧化硅、有機化學添加劑以及水。

13.如權利要求12所述的方法，其中該化學機械研磨程序對于該第一半導體層的移除率為70至

14.如權利要求13所述的方法，其中化學機械研磨程序對于該第一半導體層的移除率為

15.如權利要求1所述的方法，其中該第二半導體層具有摻雜了硼(B)或磷(P)的多晶硅。

16.如權利要求15所述的方法，其中該化學機械研磨程序所使用的研磨液包括膠質二氧化硅、有機化學添加劑以及水。

17.如權利要求16所述的方法，其中該化學機械研磨程序對于該第二半導體層的移除率為30至

18.如權利要求17所述的方法，其中化學機械研磨程序對于該第二半導體層的移除率為

19.如權利要求1所述的方法，其中該第一半導體層的厚度為1000至

20.如權利要求19所述的方法，其中該第一半導體層的厚度為