[發明專利]半導體用薄膜剝離方法及剝離裝置有效
| 申請號: | 201410696758.3 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104392905B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 趙愛圣 | 申請(專利權)人: | 尼米儀器株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 蘇雪雪 |
| 地址: | 韓國大田廣域市西區*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 薄膜 剝離 方法 裝置 | ||
1.一種半導體用薄膜剝離方法,其特征在于,包括:
直立擺放步驟(S10),直立裝載裝置(10)把處于與地面水平狀態的基板(S)直立地立起,使連接基板(S)的頂點的線段之一與重力方向平行地擺放;
編帶單元附著步驟(S20),編帶單元移送手段(20)使加裝了粘合帶的兩個編帶單元(T1,T2)相互相向地同時接近所述基板(S)的兩面,附著于貼在基板(S)兩面的薄膜(F)的四角拐角部分;
預備剝離步驟(S30),編帶單元移送手段(20)使所述編帶單元(T1,T2)同時向相反方向移動,薄膜(F)借助于編帶單元而從基板(S)的上側四角拐角剝離;
正式剝離步驟(S40),夾持器升降手段(40)使夾住基板(S)的上側四角拐角部分的夾持器上升,從而薄膜(F)從基板(S)剝離;
在所述直立擺放步驟(S10)之前,
或在所述直立擺放步驟(S10)與編帶單元附著步驟(S20)之間,包括缺口形成步驟(S50),
缺口形成單元(50)在附著于所述基板(S)兩側的薄膜(F)四角拐角部分形成用于輔助薄膜(F)剝離的缺口部。
2.根據權利要求1所述的半導體用薄膜剝離方法,其特征在于,
所述缺口形成單元(50)包括在由
具有進行直線運動而在薄膜(F)上形成缺口的尖銳前端的直線運動型拉毛器(51)、
在外周面上形成有凹凸并借助于接觸旋轉而在薄膜(F)上形成缺口的旋轉型滾花裝置(53)、
向缺口形成區域照射激光而形成缺口的非接觸式激光(55)構成的組中選擇一種構成缺口形成裝置。
3.根據權利要求1所述的半導體用薄膜剝離方法,其特征在于,還包括:
所述編帶單元(T1,T2)使剝離的薄膜(F)附著于薄膜(F)回收輥(60)的步驟(S60);
薄膜(F)回收輥旋轉手段(70)使所述薄膜(F)回收輥(60)旋轉,纏繞回收所述剝離的薄膜(F)的步驟(S70)。
4.一種半導體用薄膜同時剝離裝置,其特征在于,包括:
直立裝載裝置(10),其使處于與地面水平狀態的基板(S)旋轉,使得四角拐角之一位于上側,與重力方向平行地直立立起;
編帶單元(T1,T2),其為一對,將所述直立裝載裝置(10)置于其間并相互平行地隔開擺放;
編帶單元移送手段(20),其使所述編帶單元(T1,T2)相互相向地同時接近所述基板(S)的兩側,附著于貼在基板(S)兩側的薄膜(F)的四角拐角部分,另外,在預備剝離時,移送編帶單元(T1,T2)遠離基板(S),使薄膜(F)從基板(S)的上側四角拐角剝離;
夾持器,其位于所述直立裝載裝置(10)的上部,夾住基板(S)的最上部四角拐角部分;
夾持器升降手段,其與所述夾持器結合,使所述夾持器上升,從而薄膜(F)從基板(S)剝離;
還包括缺口形成單元(50),其在所述編帶單元(T1,T2)借助于編帶單元移送手段(20)而附著于貼在基板(S)兩側的薄膜(F)的四角拐角部分之前,
在附著于所述基板(S)兩面的薄膜(F)的四角拐角部分形成用于輔助薄膜(F)剝離的缺口部。
5.根據權利要求4所述的半導體用薄膜同時剝離裝置,其特征在于,
所述缺口形成單元(50)包括在由
具有進行直線運動而在薄膜(F)上形成缺口的尖銳前端的直線運動型拉毛器(51)、
在外周面上形成有凹凸并借助于接觸旋轉而在薄膜(F)上形成缺口的旋轉型滾花裝置(53)、
向缺口形成區域照射激光而形成缺口的非接觸式激光(55)構成的組中選擇一種構成缺口形成裝置。
6.根據權利要求4所述的半導體用薄膜同時剝離裝置,其特征在于,
所述直立裝載裝置(10)包括:
一側支撐輥框架(11),其配置得使支撐輥(r)平行地構成一個平面;
另一側支撐輥框架(12),其配置得使支撐輥(r)平行地構成一個平面,與所述一側支撐輥框架(11)隔開并平行地配置;
框架旋轉手段(15),其使所述一側支撐輥框架(11)與另一側支撐輥框架(12)一體旋轉。
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