[發明專利]一種MoO2納米片的制備方法及MoO2納米片有效
| 申請號： | 201410695809.0 | 申請日： | 2014-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104477995B | 公開（公告）日： | 2016-11-16 |
| 發明（設計）人： | 張仲;相忠誠;王慶寶 | 申請（專利權）人： | 濟南大學 |
| 主分類號： | C01G39/02 | 分類號： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250022 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 moo sub 納米 制備 方法 | ||
1.一種MoO2納米片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)取1g-10g還原氧化石墨烯溶于20ml無水乙醇中，在磁力攪拌機中充分攪拌1小時，然后旋涂在長度和寬度均為1cm的單晶硅上；
(2)取0.5g-3g?MoO3粉末放入鋼玉舟中；
(3)步驟(1)旋得到的涂后的單晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接觸MoO3粉末；
(4)將單晶硅和鋼玉舟放入高溫爐恒溫區中，并通入氮氣；
(5)將高溫爐加熱到850攝氏度并保持2小時，自然降溫至室溫，即得。
2.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中所述單晶硅上的旋涂層厚度為250nm-500nm。
3.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中旋涂后的所述單晶硅與MoO3粉末的距離不超過3cm。
4.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中氮氣N2的通入速度為0.2L/min。
5.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中高溫爐以5攝氏度每分鐘的升溫率升至850攝氏度。
6.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述還原氧化石墨烯重量為1g，MoO3粉末重量為0.5g。
7.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述還原氧化石墨烯重量為5g，MoO3粉末重量為2g。
8.根據權利要求1所述的MoO2納米片的制備方法，其特征在于，所述還原氧化石墨烯重量為10g，MoO3粉末重量為3g。
9.一種MoO2納米片，其特征在于，采用上述方法制備的MoO2納米片。
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