[發(fā)明專利]一種RIE制絨的多晶硅太陽電池的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410694985.2
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104362221A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設計）人: 鄒帥;王栩生
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

1.一種RIE制絨的多晶硅太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?采用等離子體干法刻蝕去除多晶硅片的前表面損傷層；然后進行RIE制絨，在硅片前表面形成納米絨面；

(2)?采用鏈式濕法化學處理方法對硅片依次進行背面腐蝕拋光、RIE損傷層去除以及后清洗處理；

(3)?采用背靠背插片方式對上述硅片的絨面進行磷源擴散，制備PN結(jié)；

擴散溫度為820~850℃，擴散時間為60~90?min，擴散方阻為70~100?Ω/□；

(4)?將上述擴散后的硅片進行濕法刻蝕并去除表面PSG，然后在其正表面沉積鈍化減反射膜；

(5)?在上述硅片背面分別印刷背銀、鋁漿后烘干，然后在其正表面印刷正銀后燒結(jié)，即可得到多晶硅太陽電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，采用NF₃等離子體刻蝕方法去除多晶硅片的前表面損傷層，刻蝕時間為5~20?min，去除損傷層厚度為3~6微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，RIE制絨是采用SF₆/O₂/Cl₂混合氣體等離子體對硅片前表面進行反應離子刻蝕制備納米絨面；刻蝕時間為5~10?min，納米絨面微結(jié)構(gòu)大小為200~400?nm，反射率為5~15%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，背面腐蝕拋光采用HNO₃/HF/H₂SO4混合溶液，RIE損傷層去除采用KOH溶液，后清洗處理采用HF/HCL混合溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，所述鈍化減反射膜為SiNx薄膜，其厚度為70~90?nm，折射率為1.9~2.2。