[發(fā)明專利]一種功率模塊芯片電極連接結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410694909.1 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN105633065B | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蔣云富;常桂欽;劉國友;竇澤春;彭勇殿;陳燕平;黃南 | 申請(專利權)人: | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 趙洪;周長清 |
| 地址: | 412001 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率 模塊 芯片 電極 連接 結構 | ||
1.一種功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,包括襯底(201),所述襯底(201)上的芯片電極區(qū)設有用來實現(xiàn)芯片電極連接的端子排組件,所述襯底(201)的芯片電極區(qū)通過芯片彈性連接組件完成芯片電極與端子排組件之間的彈性連接;所述芯片彈性連接組件包括彈性接觸體緊固框(301)和彈性接觸體(302),所述彈性接觸體緊固框(301)與端子排組件進行連接,所述彈性接觸體(302)與芯片電極區(qū)形成彈性連接配合;所述彈性接觸體緊固框(301)與端子排組件中的端子排之間通過過盈配合連接;所述彈性接觸體(302)采用彈性梳狀結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,所述彈性接觸體(302)的壓接區(qū)為芯片上表面。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,所述襯底(201)包括上管(108)和下管(109),所述上管(108)包括上管FRD(101)和上管IGBT(102),所述下管(109)包括下管FRD(103)和下管IGBT(104)。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,所述襯底(201)的壓接區(qū)包含DC+壓接區(qū)(105)、DC-區(qū)(106)及AC壓接區(qū)(107)。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,所述端子排組件包括端子排+(202)、端子排交流(203)和端子排-(204)。
6.根據(jù)權利要求5所述的功率模塊芯片電極連接結構,其特征在于,所述三個端子排為一個模塊化的整體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





