[發明專利]MEMS器件

在審

• 申請號: 201410694629.0
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104671186A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: S.科爾布;A.邁澤;T.施勒澤;W.維爾納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;胡莉莉

1.一種MEMS器件，包括：

固定電極；以及

活動電極，被與固定電極隔離且間隔開一定距離布置；

其中，活動電極通過包括絕緣材料的一個或多個隔離件對著固定電極懸置，其中，活動電極被橫向地附加于所述一個或多個隔離件。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述固定電極由襯底形成或被附著于襯底。

3.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述活動電極具有正方形形狀，并且其中，所述活動電極分別地經由一個或多個隔離件而被懸置在活動電極的一個或多個拐角處。

4.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件被嵌入所述活動電極中。

5.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件包括氧化物或氮化物。

6.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件在與活動電極的材料或網格結構相比時具有不同材料或不同網格結構。

7.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件的占位空間在與活動電極的占位空間相比時是其至少1/10。

8.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述固定電極與所述活動電極之間的距離是可變的，并且其中，距離的變化導致電容的變化。

9.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述活動電極經由布置在所述一個或多個隔離件中的一個處的導體而被電接觸。

10.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件被沿著活動電極延伸的開口相互分離。

11.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述活動電極被形成為懸臂。

12.根據權利要求11所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件形成加速度傳感器或濕度傳感器。

13.根據權利要求2所述的MEMS器件，其中，所述一個或多個隔離件具有在與所述活動電極的材料或與所述襯底的材料相比時具有減小的導熱率的材料。

14.根據權利要求13所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件形成測輻射熱儀。

15.根據權利要求10所述的MEMS器件，其中，在開口的區域中布置另一隔離件以便密封地封閉由活動電極形成的薄膜下面的腔體。

16.根據權利要求15所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件形成壓力傳感器。

17.一種MEMS器件，包括：

襯底，包括固定電極；以及

活動電極，與固定電極隔離且間隔開一定距離布置，該活動電極具有正方形形狀；

其中，所述活動電極被在其拐角處包括絕緣氧化物的一個或多個隔離件從所述固定電極懸置，其中，活動電極被橫向地附加于所述一個或多個隔離件；

其中，所述固定電極與所述活動電極之間的距離是可變的，并且其中，距離的變化導致電容的變化。

18.一種MEMS器件，包括：

固定電極；以及

活動電極，被與固定電極隔離且間隔開一定距離布置；

其中，活動電極通過包括絕緣材料的一個或多個隔離件從固定電極懸置，其中，活動電極被橫向地附加于所述一個或多個隔離件，

其中，所述一個或多個隔離件的占位空間是所述活動電極的占位空間的至少1/20。

19.一種用于制造MEMS器件的方法，包括：

在固定電極上提供犧牲層；

在犧牲層上提供活動電極，使得形成包括犧牲層和活動電極的層堆疊；

提供包括鄰近于層堆疊的絕緣材料的一個或多個隔離件，使得所述活動電極被橫向地附加于所述一個或多個隔離件；以及

至少在與活動電極的一部分對準的部分中去除犧牲層，使得活動電極與固定電極間隔開與犧牲層的厚度有關的距離；

其中，所述活動電極通過所述一個或多個隔離件從所述固定電極懸置。

20.根據權利要求19所述的方法，其中，執行提供所述一個或多個隔離件，使得在之間形成開口。