[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201410693939.0
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104681585A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 秋教燮;裵鐘旭;趙寶敬
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

本申請要求2013年11月26日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2013-0144341的優先權權益，該專利申請以引用方式并入本文。

技術領域

本發明涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置，更特別地，涉及一種存儲容量提高的OLED顯示裝置及其制造方法。

背景技術

近來，隨著社會進入信息時代，將所有種類的電信號表現為視覺圖像的各種類型的顯示裝置得到快速發展。例如，液晶顯示(LCD)裝置和有機發光二極管(OLED)顯示裝置被廣泛引入，用作陰極射線管型顯示裝置的替代品。

作為新型平板顯示裝置的OLED顯示裝置是自發光型。OLED顯示裝置具有優異的視角、對比度等特性。另外，由于OLED顯示裝置不需要背光組件，因此OLED顯示裝置具有低重量和低功耗。此外，OLED顯示裝置具有高響應速率、低生產成本等優點。另外，OLED顯示裝置的所有元件是固態相的，OLED顯示裝置抵御外部沖擊的能力強。特別地，在生產成本方面具有大的優勢。OLED顯示裝置的制造工藝非常簡單，需要沉積設備和封裝設備。

在有源矩陣型OLED裝置中，用于控制像素的電流的電壓被充入存儲電容器中，使得電流的大小得以保持，直至下一幀。

圖1是相關技術的OLED顯示裝置的一個像素區的電路圖。

如圖1中所示，OLED顯示裝置包括沿著第一方向的選通線GL、沿著第二方向的數據線DL、開關薄膜晶體管(TFT)Tsw、存儲電容器Cst、驅動TFT?Tdr和發光二極管E。選通線GL和數據線DL彼此交叉以限定像素區P。

開關TFT?Tsw設置在選通線GL和數據線DL的交叉部分并且連接到選通線GL和數據線DL。驅動TFT?Tdr電連接到開關TFT?Tsw。

驅動TFT?Tdr和存儲電容器Cst連接到開關TFT?Tsw和高電平電壓VDD。發光二極管E連接到驅動TFT?Tdr和低電平電壓VSS。

當開關TFT?Tsw因通過選通線GL施加的選通信號而導通時，來自數據線DL的數據信號被施加到驅動TFT?Tdr的柵極和存儲電容器Cst的電極。當驅動TFT?Tdr因數據信號而導通時，從高電平電壓VDD向發光二極管E供應電流。結果，發光二極管E發光。在這種情況下，當驅動TFT?Tdr導通時，到發光二極管E的電流的大小被確定，使得發光二極管E可產生灰階。

存儲電容器Cst用于當開關TFT?Tsw截止時保持驅動TFT?Tdr的柵極的電壓。因此，即使開關TFT?Tsw截止，到發光二極管E的電流的大小也得以保持至下一幀。

為了生產高分辨率顯示裝置，應該增加單位面積中的像素區P的數量。即，在高分辨率顯示裝置中，一個像素區P的大小減小。

當一個像素區P的大小減小時，存儲電容器Cst的大小也減小，以致存儲電容減小。

當增大存儲電容器Cst的大小以提供高存儲電容時，孔徑比減小。

發明內容

因此，本發明致力于一種基本上消除了由于相關技術的限制和缺點導致的一個或更多個問題的OLED顯示裝置。

本發明的附加特征和優點將在隨后的描述中闡述并且根據描述將部分變得顯而易見，或者可通過本發明的實踐而得知。將通過書面描述及其權利要求書以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得本發明的這些和其它優點。

根據本發明，如本文中實施和廣義描述的，一種有機發光二極管顯示裝置包括：第一氧化物半導體層，其包括第一區至第四區；第一絕緣層，其在所述第一氧化物半導體層上；第一柵極，其在所述第一絕緣層上并且與所述第一區完全交疊；第一存儲電極，其從所述第一柵極延伸并且與所述第二區交疊；第二絕緣層，其覆蓋所述第一柵極和所述第一存儲電極并且將所述第三區和第四區露出；第一源極和第一漏極，其在所述第二絕緣層上并且接觸所述第三區和所述第四區；發光二極管，其連接到所述第一漏極，其中，在除了所述第一存儲電極的中心之外的所述第一存儲電極的邊緣處的所述第二區的一部分是導電的，以形成第二存儲電極，并且所述第一存儲電極、所述第二存儲電極和所述第一絕緣層構成第一存儲電容器。