[發明專利]太陽能電池的制造工藝和太陽能電池的處理工藝

有效

• 申請號: 201410692886.0
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104681663B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: P·恩格爾哈特;F·克斯滕
• 申請（專利權）人: 韓華QCELLS有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張海文

1.PERC結構太陽能電池制造工藝，其包括一退火處理步驟，其中基體(1)經歷一退火溫度曲線(52)，在退火溫度曲線(52)中，在至少3秒的退火時間內將溫度保持在一個溫度區間內，該溫度區間的下限為大約400℃，上限為大約700℃；基體經歷一燒結步驟，包括一燒結步驟的升溫階段和一燒結步驟的降溫階段，通過上述處理，在基體表面上涂覆的金屬化漿料形成了一個金屬化層，其中

-退火處理步驟集成在燒結步驟的降溫階段內，使在設置燒結步驟處理溫度時，在燒結步驟溫度變化曲線上設置一個平臺期，以實現退火處理的步驟，當燒結處理的溫度達到最高溫度之后，保持該溫度一段時間；

其中退火處理步驟包括一降溫階段(52b)，其中基體在退火處理過程中經歷一退火溫度曲線(52)，在退火步驟的降溫階段(52b)最大斜率為100K/s、70K/s、50K/s或30K/s。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，溫度區間的下限為400℃、420℃、450℃或480℃和/或溫度區間的上限為550℃、600℃、650℃或700℃。

3.根據前述權利要求1所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，基體在退火處理步驟的過程中被光照射或者被通電。

4.根據前述權利要求1所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，基體由單晶半導體或者多晶半導體構成。

5.根據前述權利要求1所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，基體的一面或者兩面覆蓋有具有表面鈍化性能的鈍化層。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，背面鈍化層采用以氧化鋁層、氮氧化鋁層和/或由氧化鋁、氮氧化鋁和氮氧化硅和/或氮化硅中的若干物質構成的多層結構構成。

7.根據權利要求5或6所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，正面鈍化層由氮氧化硅或氮化硅構成。

8.根據前述權利要求1所述的太陽能電池制造工藝，其特征在于，抗反射層是由氮氧化硅或者氮化硅構成。