[發明專利]檢測晶片基底二維形貌的裝置

有效

• 申請號: 201410692862.5
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN105698705A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 劉健鵬;黃文勇;張瑭;張立芳
• 申請（專利權）人: 北京智朗芯光科技有限公司
• 主分類號: G01B11/245
• 分類號: G01B11/245
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

1.檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，包括N個PSD，N束激光、 與所述N束激光一一對應的N個第一分光片、與所述N束激光一一對應的N個 第二分光片，所述N束激光沿直線排布，其中，所述N為3以上的自然數，所 述N個PSD與N束激光一一對應，所述N個PSD分別布置在所述N束激光的 左右兩側，包括左側PSD和右側PSD，

每束激光經過第一分光片后入射到第二分光片，通過第二分光片后入射到 晶片樣品表面，晶片樣品表面反射的N束反射光束包括第一方向光束和第二方 向光束，第一方向光束通過第二分光片后，入射到第一分光片，經過所述第一 分光片后，入射到所述右側PSD上；所述第二方向光束通過第二分光片后入射 到所述左側PSD上；

所述N個第一分光片和N個第二分光片上分別設有鍍膜區域，其中，對應 于所述第一方向光束的區域，所述第一分光片能同時反射和透射所述激光；對 應于所述第二方向光束的區域，所述第二分光片能同時反射和透射所述激光。

2.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，

所述N個第一分光片集成為一片，

和/或，

所述N個第二分光片集成為一片。

3.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對 應于所述第一方向光束的區域，所述第一分光片的鍍膜使其在(λ-10nm，λ +10nm)的波長范圍內的反射率為50％，對應于所述第二方向光束的區域，所 述第二分光片的鍍膜使其在(λ-10nm，λ+10nm)的波長范圍內的反射率為50％， 其中，λ為所述N束激光的中心波長。

4.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對 應于所述第二方向光束的區域，所述第一分光片的鍍膜使其在(λ-10nm，λ +10nm)的波長范圍內的反射率為大于90％，對應于所述第一方向光束的區域， 所述第二分光片的鍍膜使其在(λ-10nm，λ+10nm)的波長范圍內的反射率為 大于90％，其中，λ為所述N束激光的中心波長。

5.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對 應于所述第一方向光束的區域，所述第一分光片的鍍膜使其在(λmin，λ-10nm) 以及(λ+10nm，λmax)的波長范圍內的透射率小于20％，所述第二分光片的 鍍膜使其在(λmin，λ-10nm)以及(λ+10nm，λmax)的波長范圍內的透射 率大于85％，對應于所述第二方向光束的區域，所述第二分光片的鍍膜使其在 (λmin，λ-10nm)以及(λ+10nm，λmin)的波長范圍內的透射率小于20％， 其中，λ為所述N束激光的中心波長，λmin和λmax分別為所述PSD的最小 響應波長和最大響應波長。

6.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所 述第一分光片和所述第二分光片的內表面鍍有波長為λ的增透膜。

7.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，還 包括第三分光片，所述第二方向光束通過所述第二分光片后，入射到所述第三 分光片上，經過所述第三分光片反射后，入射到所述左側PSD上；所述第三分 光片為全介質二向色分光片，所述第三分光片的鍍膜使其在(λmin，λ-10nm) 以及(λ+10nm，λmax)的波長范圍內反射率大于95％，在(λmin，λ-10nm) 以及(λ+10nm，λmax)的波長范圍內的透射率大于85％。

8.根據權利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所 述第一分光片分別對應于所述第一方向光束和所述第二方向光束的鍍膜區域間 隔設置；所述第二分光片分別對應于所述第一方向光束和所述第二方向光束的 鍍膜區域間隔設置。