[發(fā)明專利]一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410692271.8 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104362169B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬利飛;程鴻飛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機 發(fā)光二極管 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及到顯示裝置的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及到一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED,即有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),又稱為有機電激光顯示(Organic Electroluminesence Display,OELD)。OLED具有自發(fā)光的特性,采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板,當電流通過時,有機材料就會發(fā)光,而且OLED顯示屏幕可視角度大,并且能夠顯著節(jié)省電能,OLED屏幕具備了許多LCD不可比擬的優(yōu)勢。
一般OLED組件的光都是由基板射出的,也就是下發(fā)光。而所謂的上發(fā)光(top emission)是指光不經(jīng)過底下基板而是從另一邊射出。如果基板之上為高反射的第一電極,而第二電極是透光的,則光是從表面的第二電極發(fā)出的。若第一電極材料使用傳統(tǒng)的透光ITO第一電極并搭配透光第二電極,則組件的兩面都會發(fā)光,也就是所謂的穿透式組件(transparent device)。
申請人發(fā)現(xiàn):主動式OLED發(fā)光組件是由薄膜晶體管來控制的,薄膜晶體光上設置有不透光區(qū)域和透光區(qū)域,在測試發(fā)光組件的透過率時根據(jù)國標,假設不透光區(qū)域的面積為A1,透光區(qū)域的面積為A2,且透光區(qū)域的透過率為Ts1,則定義透過率為:這里如果Ts1提高,整個組件的透過率Ts就會提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制備方法、顯示裝置,用以減少光線傳播時經(jīng)過的介質(zhì)的種類,提高組件的透過率,同時提高了顯示裝置的顯示效果。本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管陣列基板,包括:襯底,設置在所述襯底上并沿遠離所述襯底方向依次層疊設置的薄膜晶體管及有機發(fā)光二極管,其中,所述薄膜晶體管設置于所述襯底的不透光區(qū)域,所述有機發(fā)光二極管包括沿遠離所述襯底方向依次層疊設置的第一電極、有機電致發(fā)光層及第二電極,所述第一電極位于所述襯底的不透光區(qū)域且設置于所述薄膜晶體管的上方,所述有機電致發(fā)光層及所述第二電極延伸至所述襯底的透光區(qū)域,且所述有機電致發(fā)光層及所述襯底之間設置有位于所述襯底的透光區(qū)域內(nèi)并與所述薄膜晶體管及所述第一電極相鄰的填充層,所述填充層與所述襯底的折射率差值的絕對值在設定范圍內(nèi)。
在上述技術(shù)方案中,薄膜晶體管設置在襯底的不透光區(qū)域,在透光區(qū)域內(nèi)僅設置了填充層、有機電致發(fā)光層及第二電極,減少了光線傳播時經(jīng)過的介質(zhì)的種類,同時,采用與襯底折射率相近似的填充層更進一步的提高了光線的透射率,從而提高了顯示裝置的顯示效果。
優(yōu)選的,所述設定范圍為0~0.3。使得填充層的折射率與襯底的折射率相近似,保證了更多的光線能夠射出,提高了顯示效果。
優(yōu)選的,所述襯底為玻璃基板,所述填充層為丙烯基二甘醇碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中的任一種。可以選擇不同的材料來制作填充層。
優(yōu)選的,還包括設置在所述薄膜晶體管與所述有機電致發(fā)光層之間的像素定義層。
優(yōu)選的,所述薄膜晶體管包括有源層,設置在所述有源層上的柵極絕緣層,設置在所述柵極絕緣層上的柵極,設置在所述柵極上的中間絕緣層,設置在所述中間絕緣層上的源極和漏極。
優(yōu)選的,還包括設置在所述襯底與所述薄膜晶體管之間的緩沖層。提高了薄膜晶體管的安全性。
優(yōu)選的,所述有機發(fā)光二極管陣列基板還包括設置在所述源極和漏極及所述像素定義層之間的鈍化層及平坦層。在制作時,方便像素定義層的設置。
本發(fā)明還提供了一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制備方法,該方法包括以下步驟:
在襯底的不透光區(qū)域形成薄膜晶體管;
在所述襯底的透光區(qū)域形成填充層,且所述填充層與所述襯底的折射率差值的絕對值在設定范圍內(nèi);
在所述薄膜晶體管和所述填充層上形成有機發(fā)光二極管,其中,所述有機發(fā)光二極管包括沿遠離所述襯底方向依次層疊設置的第一電極、有機電致發(fā)光層及第二電極,所述第一電極位于所述襯底的不透光區(qū)域且設置于所述薄膜晶體管的上方,所述有機電致發(fā)光層及所述第二電極延伸至所述襯底的透光區(qū)域。
在上述方法中,薄膜晶體管設置在襯底的不透光區(qū)域,在透光區(qū)域內(nèi)僅設置了填充層、有機電致發(fā)光層及第二電極,減少了光線傳播時經(jīng)過的介質(zhì)的種類,同時,采用與襯底折射率相近似的填充層更進一步的提高了光線的透射率,從而提高了顯示裝置的顯示效果。
優(yōu)選的,在所述薄膜晶體管上形成有機發(fā)光二極管之前,還包括在所述薄膜晶體管上形成鈍化層及平坦層。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括上述任一項所述的有機發(fā)光二極管陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





