[發(fā)明專利]具有由低集光率源泵激的光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)的投影儀

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410690731.3
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104656355B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約翰·馬歇爾·費里;薩賈德·阿里·汗;邁克爾·特里·戴維斯;維克蘭特·R·巴克塔
• 申請（專利權(quán)）人: 德州儀器公司
• 主分類號: G03B21/20
• 分類號: G03B21/20;G03B21/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種投影儀系統(tǒng)，其包括：

恰好一個成像陣列；

低集光率光源，其具有小于10平方毫米-球面度的集光率，所述低集光率光源具有小于470納米的中心波長；

可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，其具有呈反射配置的多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)，所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)具有比所述低集光率光源的所述波長長的發(fā)射波長；

第一光學(xué)路徑，其從所述低集光率光源延伸到所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)；以及

第二光學(xué)路徑，其從所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)延伸到所述成像陣列；

其中所述第一光學(xué)路徑在所述多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)處與所述第二光學(xué)路徑有角度地分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述低集光率光源為具有在435納米與470納米之間的波長的激光器；且

所述投影儀系統(tǒng)包含呈反射配置的漫射器區(qū)，所述漫射器區(qū)安置于從所述光源延伸到所述漫射器區(qū)的第三光學(xué)路徑中及從所述漫射器區(qū)延伸到所述成像陣列的第四光學(xué)路徑中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述低集光率光源為具有在400納米與435納米之間的中心波長的激光器；且

所述多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)包含具有藍(lán)色發(fā)射波長的光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投影儀系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)為可旋轉(zhuǎn)筒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投影儀系統(tǒng)，其中所述可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)為可旋轉(zhuǎn)輪。

6.一種投影儀系統(tǒng)，其包括：

恰好一個成像陣列；

低集光率光源，其具有小于10平方毫米-球面度的集光率，所述低集光率光源具有小于470納米的中心波長；

呈反射配置的多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)，所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)具有比所述低集光率光源的所述波長長的發(fā)射波長；

第一光學(xué)路徑，其從所述低集光率光源延伸到所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)；

第二光學(xué)路徑，其從所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)延伸到所述成像陣列；以及

用于在所述第一光學(xué)路徑上使來自所述低集光率光源的光相對于所述多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)轉(zhuǎn)向的結(jié)構(gòu)；

其中所述用于使來自所述低集光率光源的所述光轉(zhuǎn)向的結(jié)構(gòu)包含可偏轉(zhuǎn)鏡。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述低集光率光源為具有在435納米與470納米之間的中心波長的激光器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述投影儀系統(tǒng)包含呈反射配置的漫射器區(qū)，所述漫射器區(qū)安置于從所述光源延伸到所述漫射器區(qū)的第三光學(xué)路徑中及從所述漫射器區(qū)延伸到所述成像陣列的第四光學(xué)路徑中。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述低集光率光源為具有在400納米與435納米之間的中心波長的激光器。

10.一種投影儀系統(tǒng)，其包括：

恰好一個成像陣列；

低集光率光源，其具有小于10平方毫米-球面度的集光率，所述低集光率光源具有小于470納米的中心波長；

呈反射配置的多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)，所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)具有比所述低集光率光源的所述波長長的發(fā)射波長；

第一光學(xué)路徑，其從所述低集光率光源延伸到所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)；

第二光學(xué)路徑，其從所述光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)延伸到所述成像陣列；

用于在所述第一光學(xué)路徑上使來自所述低集光率光源的光相對于所述多個光學(xué)轉(zhuǎn)換介質(zhì)轉(zhuǎn)向的結(jié)構(gòu)；以及

安置于所述第一光學(xué)路徑及所述第二光學(xué)路徑中的扇形二向色鏡。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的投影儀系統(tǒng)，其中：

所述低集光率光源為具有在435納米與470納米之間的中心波長的激光器。