[發明專利]觸控模組在審
| 申請號: | 201410689355.6 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104503636A | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 戴嘉駿 | 申請(專利權)人: | 業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飛亞 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模組 | ||
技術領域
本發明涉及一種觸控模組。
背景技術
隨著電子技術的不斷發展,手機、便攜式電腦、個人數字助理(PDA)、平板電腦、媒體播放器等消費性電子產品大多都采用觸控模組作為輸入設備,以使產品具有更友好的人機交互方式。
根據其觸控原理的不同,觸控模組包括電阻式觸控模組、電容式觸控模組、紅外式觸控模組以及聲波式觸控模組等。目前,應用較為廣泛的觸控模組包括電阻式、電容式、光學式、音波式等觸控模組。其中,尤以電容式觸控模組的應用更為廣泛。電容式觸控模組由于其觸控靈敏度好、使用壽命長、不易被外界信號干擾等優點,被廣泛應用于各種消費性電子產品。
目前,被廣泛使用的電容式觸控模組,例如投射式電容觸控模組,大多包括觸控感測區域以及位于該觸控感測區域外圍的走線(fan-out)區域或邊框(border)區域。
投射式電容觸控屏的觸控感應部件一般由行電極和列電極交錯形成感應矩陣。行電極和列電極分別可設置在同一透明基板的兩面,防止在交錯位置出現短路。
另外,一種典型的電容式觸控模組,也可將行電極和列電極設置在同一透明基板的同側,其行電極和列電極分別包括序列感測片,感測片可以為菱形或其它多邊形。此觸控模組通常采用的設計方案為:行電極或者列電極之一在導電膜上連續設置,而另一個電極在導電膜上以連續設置的電極為間隔設置成若干電極塊,在交錯點的位置通過導電橋將相鄰的電極塊電連接,從而形成另一方向上的連續電極。導電橋與連續設置的電極之間由絕緣層分隔,從而有效的阻止行電極和列電極在交錯點短路。然后,制作好的行電極和列電極再通過邊框區域的金屬走線連接到一控制電路(如FPC)。這種結構的觸控模組一般需要五道光刻制程(黃光制程)分別制作導電橋、絕緣層、連續設置的電極(行電極和列電極之一)、金屬導線、以及金屬導線上方覆蓋之保護層。為了節約制程成本,一些電容式觸控模組將走線區的導線跟感測電極使用相同材料在同一光刻制程中形成。一種應用廣泛的電極材料為氧化銦錫(ITO)等透明氧化物半導體材料。然而,使用氧化銦錫作為走線區域的導線,其線阻會較高,會影響信號的傳輸效果。
發明內容
為解決以上問題,有必要提供一種可降低走線區域導線線阻的觸控模組。
本發明提供的一種觸控模組,包括觸控區域以及位于觸控區域外圍的走線區域,該觸控模組包括一基板,該基板對應觸控區域的位置設置有由導電材質形成的第一感測電極以及第二感測電極,該第一感測電極與第二感測電極相互絕緣設置,該基板對應走線區域的位置設置有導電信號線。該導電信號線包括至少兩層導電結構,該至少兩層導電結構包括層疊設置的第一導電層和第二導電層,該第一導電層和第二導電層的材料為氧化銦錫。
優選地,所述第一導電層、第二導電層、以及第二感測電極在同一光刻制程中形成。
優選地,所述第一感測電極包括多個第一感測單元以及將相鄰兩個第一感測單元電性連接的橋接結構,所述第一導電層與該橋接結構在同一光刻制程中形成,所述第二導電層與第二感測電極在同一光刻制程中形成。
優選地,所述橋接結構正上方覆蓋一絕緣覆層,所述第二感測電極包括多個第二感測單元以及將該多個第二感測單元串聯連接的連接導線,該連接導線橫越過該橋接結構以及該絕緣覆層將相鄰兩個第二感測單元電性連接。
優選地,所述第一導電層與第二導電層重合,且該第一導電層與第二導電層的厚度相同。
本發明提供另一種觸控模組,包括觸控區域以及位于觸控區域外圍的走線區域,該觸控模組包括一基板,該基板對應觸控區域的位置設置有由導電材質形成的第一感測電極以及第二感測電極,該第一感測電極與第二感測電極相互絕緣設置,該基板對應走線區域的位置設置有導電信號線。該導電信號線包括至少兩層導電結構,該至少兩層導電結構包括層疊設置的第一導電層和第二導電層,該第一導電層位于第二導電層正下方,該第一導電層的材料為金屬材料,該第二導電層的材料為氧化銦錫。
優選地,所述第一導電層、第二導電層、以及第二感測電極在同一光刻制程中形成。
優選地,所述第一感測電極包括多個第一感測單元以及將相鄰兩個第一感測單元電性連接的橋接結構,所述第一導電層與該橋接結構在同一光刻制程中形成,所述第二導電層與第二感測電極在同一光刻制程中形成。
優選地,所述第一導電層與第二導電層重合,且該第一導電層的厚度大于該第二導電層的厚度。
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