[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410688986.6 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104681455A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | G.比爾;U.瓦赫特;E.瓦格納 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/02;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進;徐紅燕 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
該發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體器件封裝的技術(shù),并且特別地涉及將密封主體劃分成多個半導(dǎo)體器件封裝的技術(shù)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件制造商正不斷地力求增加其產(chǎn)品的性能,同時降低其制造的成本。在半導(dǎo)體器件封裝的制造中的成本密集區(qū)域是封裝半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體器件封裝以及以低開支和高產(chǎn)量制造半導(dǎo)體器件封裝的方法是所期望的。
附圖說明
附圖被包含以提供實施例的進一步理解并且被結(jié)合在該說明書中且構(gòu)成該說明書的一部分。附圖圖解了實施例并且與描述一起用來解釋實施例的原理。其它實施例和實施例的許多預(yù)期的優(yōu)點將被容易地意識到,因為它們通過參考下面詳細的描述變得更好理解。附圖的元件不必相對彼此成比例。相同的參考數(shù)字指示對應(yīng)的相同部件。
圖1示意性地圖解了包含多個半導(dǎo)體芯片的示范性密封主體的平面視圖。
圖2A和2B分別示意性地圖解了在激光燒蝕前包含示范性密封主體的示范性層堆疊的部分的平面視圖和沿著圖1的線A-A的橫截面視圖。
圖3A和3B分別示意性地圖解了在激光燒蝕期間圖2A-B的層堆疊的部分的橫截面視圖和平面視圖。
圖4A和4B分別示意性地圖解了在劃片期間圖3A-B的層堆疊的部分的橫截面視圖和平面視圖。
圖5A和5B分別示意性地圖解了在劃片后圖4A-B的層堆疊的部分的橫截面視圖和平面視圖。
圖6A和6B分別示意性地圖解了在激光燒蝕期間圖2A-B的層堆疊的部分的橫截面視圖和平面視圖。
圖7A和7B分別示意性地圖解了在激光燒蝕期間包含示范性密封主體的示范性層堆疊的部分的橫截面視圖和平面視圖。
圖8A和8B分別示意性地圖解了在激光燒蝕前包含示范性密封主體的示范性層堆疊的部分的平面視圖和沿著圖1的線B-B的橫截面視圖。
圖9A和9B示意性地圖解了用來加工包括半導(dǎo)體芯片的陣列的密封主體的方法的示范性實施例。
圖10A到10C示意性地圖解了用來將金屬層和/或有機層以及電再分布結(jié)構(gòu)施加到圖9A-B的密封主體的方法的一個示范性實施例。
圖11A示意性地圖解了示范性半導(dǎo)體器件封裝的橫截面視圖并且圖11B示意性地圖解了示范性半導(dǎo)體器件封裝的圖11A的來自方向C的平面視圖。
圖12A示意性地圖解了示范性半導(dǎo)體器件封裝的橫截面視圖并且圖12B示意性地圖解了示范性半導(dǎo)體器件封裝的圖12A的來自方向C的平面視圖。
圖13示意性圖解了半導(dǎo)體器件封裝和/或示范性層堆疊的部分的橫截面視圖。
圖14示意性地圖解了激光加工包括含有多個半導(dǎo)體芯片的密封主體的層堆疊的方法的示范性實施例,由此激光加工包括激光標記和激光刻槽。
具體實施方式
在下面詳細的描述中對形成其一部分的附圖做參考,并且在其中通過圖解的方式示出了在其中可以實踐本發(fā)明的特定實施例。在這點上,方向性的術(shù)語,諸如“頂”、“底”、“前”、“后”、“上”、“下”等參考正被描述的(一個或多個)圖的定向而被使用。因為實施例的組件能夠被定位在多個不同的定向上,方向性的術(shù)語為了圖解的目的而被使用并且絕不是限制的。要被理解的是其它實施例可以被利用并且可以進行結(jié)構(gòu)的或邏輯的改變而沒有脫離本發(fā)明的范圍。下面詳細的描述,因此不是進行限制的意義,并且本發(fā)明的范圍被所附的權(quán)利要求限定。
要被理解的是本文描述的各種示范性實施例的特征可以彼此組合,除非另外特定地指出。
如在該說明書中采用,術(shù)語“鍵合的”、“附連的”、“連接的”、“耦合的”和/或“電連接的/電耦合的”不打算表示元件或?qū)颖仨毐恢苯拥亟佑|在一起,居間元件或?qū)涌梢栽凇版I合的”、“附連的”、“連接的”、“耦合的”和/或“電連接的/電耦合的”元件之間分別被提供。然而,依據(jù)公開內(nèi)容,以上提及的術(shù)語也可以可選地具有特定的含義:元件或?qū)颖恢苯拥亟佑|在一起,即沒有居間元件或?qū)釉凇版I合的”、“附連的”、“連接的”、“耦合的”和/或“電連接的/電耦合的”元件之間分別被提供。
此外,關(guān)于“在表面之上”形成或設(shè)置的材料層所使用的詞“在...之上”本文可以被用來表示材料層被“直接地設(shè)置(例如形成、淀積等)在暗示的表面之上”,例如與暗示的表面直接接觸。關(guān)于“在表面之上”形成或設(shè)置的材料層所使用的詞“在...之上”本文可以被用來表示材料層被“間接地設(shè)置(例如形成、淀積等)在暗示的表面之上”,其中一個或多個附加的層被布置在暗示的表面和材料層之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





