[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410688132.8
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104681598B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 有金剛;岡田大介;久本大
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/51;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11568;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一柵極電極，布置在所述半導體襯底之上；

第二柵極電極，布置在所述半導體襯底之上以便與所述第一柵極電極相鄰；

第一絕緣膜，形成在所述第一柵極電極與所述半導體襯底之間；

第二絕緣膜，形成為使得所述第二絕緣膜從所述第二柵極電極與所述半導體襯底之間延伸到所述第一柵極電極與所述第二柵極電極之間，所述第二絕緣膜具有電荷積累部；以及

第三絕緣膜，形成為使得所述第三絕緣膜從所述第一柵極電極與所述第一絕緣膜之間延伸到所述第一柵極電極與所述第二絕緣膜之間，

其中所述第三絕緣膜覆蓋第二柵極電極側的所述第一柵極電極的下部的角部，

其中所述第一絕緣膜包括氧化硅膜，以及

其中所述第三絕緣膜具有比氮化硅膜的介電常數更高的介電常數。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二柵極電極部以側壁形狀經由所述第二絕緣膜和所述第三絕緣膜位于所述第一柵極電極部的一側上。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一柵極電極包括金屬化合物膜，

其中所述金屬化合物膜位于所述第一柵極電極與所述第三絕緣膜之間，以及

其中所述金屬化合物膜從所述第一柵極電極與所述半導體襯底之間的位置延伸到所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間的位置。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一柵極電極包括硅膜。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一柵極電極包括金屬膜或金屬化合物膜。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二柵極電極包括硅膜。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二柵極電極部包括金屬膜或金屬化合物膜。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述半導體襯底在所述半導體襯底的第一區域中具有第一元件，所述第一元件具有所述第一柵極電極、所述第二柵極電極、所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述第三絕緣膜，

其中所述半導體襯底在所述半導體襯底的第二區域中具有第二元件，所述第二元件具有第三柵極電極和源極/漏極區域，所述第三柵極電極經由第四絕緣膜和第五絕緣膜布置在所述半導體襯底之上，所述源極/漏極區域形成在所述第三柵極電極的兩側的所述半導體襯底中，

其中所述第五絕緣膜具有比氮化硅膜的介電常數更高的介電常數，以及

其中所述第三柵極電極包括金屬化合物或金屬化合物膜。