[發明專利]電壓調節器

有效

• 申請號: 201410688055.6
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104460801A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

技術領域

本發明涉及電子電路領域，尤其涉及一種電壓調節器。?

背景技術

傳統的電壓調節器如圖1所示，一般由帶隙基準電路Bandga_p提供溫度系數較小的參考電壓VR，誤差放大器EA調整使得反饋電壓FB等于參考電壓VR，此時輸出電壓VO等于VR*(R1+R2)/R1，其中VR為參考電壓的電壓值，R1和R2分別為電阻R1和R2的電阻值。在該傳統的電壓調節器中，需要外接電容C1，該外接電容C1使得傳統的電壓調節器浪費了一個電容，而且當該傳統的電壓調節器為內部電路供電時，該電容C1需要占用一個芯片管腳，從而增加了芯片面積，增加了生產成本。?

發明內容

本發明的目的是解決傳統的電壓調節器由于需要外接電容C1，而造成生產的成本高，占用芯片面積大的問題。?

第一方面，本發明實施例提供了一種電壓調節器，所述電壓調節器包括：偏置電路，電流鏡電路，放大器，箝位電路，輸出電路；?

偏置電路，與電源相連接，用于為所述放大器的一端和所述電流鏡電路提供第一偏置電流，為所述放大器的另一端提供第二偏置電流；?

電流鏡電路，與放大器和箝位電路相連接，用于將所述第一偏置電流鏡像為鏡像電流，并將所述鏡像電流提供給所述箝位電路，以作為所述箝位電路的偏置電流；?

放大器，與偏置電路和輸出電路相連接，用于對在所述第一偏置電流下產生的第一節點電壓V1和在所述第二偏置電流下產生的第二節點電壓V2進行調整，使得所述第二節點電壓V2等于第一節點電壓V1，并將所述第二節點電壓V2作為所述電壓調節器的輸出電壓VO的一部分；?

箝位電路，與放大器相連接，用于對所述電壓調節器的輸出電壓VO和第二節點電壓V2的電壓差箝位，以產生箝位電壓，所述箝位電壓作為所述電壓調節器的輸出電壓VO的另一部分；?

輸出電路，其第一端與放大器相連接，第二端與箝位電路相連接，第三端與電源相連接，用于為所述電壓調節器的輸出電壓VO提供驅動電流。?

優選地，所述偏置電路包括第一電流源I1和第二電流源I2，所述電流鏡電路包括第一NMOS晶體管MN1和第二NMOS晶體管MN2，所述放大器包括第三NMOS晶體管MN3和第四NMOS晶體管MN4，所述輸出電路包括第一PMOS晶體管MP1；?

所述第一PMOS晶體管MP1的柵極為所述輸出電路的第一端，所述第一PMOS晶體管MP1的漏極為所述輸出電路的第二端，所述第一PMOS晶體管MP1的源極為所述輸出電路的第三端；?

所述第一NMOS晶體管MN1和所述第二NMOS晶體管MN2共柵共源連接，所述第一NMOS晶體管MN1的柵極和所述第三NMOS晶體管MN3的源極連接，所述第三NMOS晶體管MN3和所述第四NMOS晶體管共柵連接，所述第三NMOS晶體管MN3的漏極和所述第一電流源I1、第一PMOS晶體管MP1的柵極連接，所述第四NMOS晶體管MN4的漏極和所述第二電流源I2連接，所述第四NMOS晶體管MN4的源極和所述第二NMOS晶體管MN2的漏極連接，所述第一PMOS晶體管MP1的源極和所述第一電流源I1的正端相連接；?

所述第一電流源I1為所述第三NMOS晶體管MN3和所述第一NMOS晶體管MN1提供第一偏置電流；?

所述第二電流源I2為所述第四NMOS晶體管MN4提供第二偏置電流。?

優選地，所述箝位電路包括第二PMOS晶體管MP2；?

所述第二PMOS晶體管MP2的漏極和柵極連接，并和所述第二NMOS晶體管MN2的源極、第四NMOS晶體管MN4的漏極連接，所述第二PMOS晶體管MP2的源極和所述第一PMOS晶體管MP1的漏極連接；?

所述第二PMOS晶體管MP2對所述電壓調節器的輸出電壓VO和第二節點電壓V2的電壓差箝位，以產生箝位電壓。?

優選地，所述箝位電路包括第五NMOS晶體管MN5；?

所述第五NMOS晶體管MN5的柵極和漏極連接，并和所述第一PMOS晶體管MP1的漏極連接，所述第五NMOS晶體管MN5的源極和所述第二NMOS晶體管MN2的漏極連接；?

所述第五NMOS晶體管MN5對所述電壓調節器的輸出電壓VO和第二節點電壓V2的電壓差箝位，以產生箝位電壓。?

優選地，所述箝位電路包括第一電阻R1；?

所述第一電阻R1的一端和所述第四NMOS晶體管MN4的源極、所述第二NMOS晶體管MN2的漏極連接，所述第一電阻R1的另一端和所述第一PMOS晶體管MP1的漏極、電壓調節器的輸出端連接；?