[發明專利]用于低溫ALD膜的室底涂層制備方法

在審

• 申請號: 201410686823.4
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104651807A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 康胡;錢俊;阿德里安·拉瓦伊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/513
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種在用于處理襯底的反應室的內表面上形成底涂層的方法，其包括：

(a)將氣相的第一反應物的流引入所述反應室中且允許所述第一反應物吸附到所述反應室的所述內表面上；

(b)在所述第一反應物吸附到所述反應室的所述內表面上的同時將氣相的第二反應物的流引入所述反應室中；以及

(c)當所述第一和第二反應物中的至少一者的流已經停止時，使所述反應室暴露于等離子體，以便驅動所述反應室的所述內表面上的所述第一和第二反應物之間的反應，從而形成所述底涂層，其中所述底涂層共形地涂布所述反應室的所述內表面；

其中操作(a)-(c)在所述反應室中沒有襯底存在時進行，且

其中操作(a)-(c)被重復直至所述底涂層至少約0.1μm厚。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述反應室中的溫度在操作(a)-(c)過程中變化不超過約2℃。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述底涂層是氧化物、氮化物、碳化物、或者碳氮化物。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第二反應物包括O₂和N₂O。

5.如權利要求2所述的方法，其中所述底涂層是貴金屬、鑭系氧化物、4族金屬氧化物、或者5族金屬氧化物。

6.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述底涂層共形地涂布襯底載具。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述底涂層不超過約0.5μm厚。

8.如權利要求6所述的方法，其中所述底涂層不超過約0.2μm厚。

9.如權利要求1-5中任一項、7或8所述的方法，其進一步包括：

(d)在所述反應室中接收襯底；

(e)將氣相的第三反應物的流引入所述反應室中且允許所述第三反應物吸附到所述襯底的表面上；

(f)在所述第三反應物吸附到所述襯底的所述表面上的同時將氣相的第四反應物的流引入所述反應室中；以及

(g)當所述第三和第四反應物中的至少一者的流已經停止時，使所述反應室暴露于等離子體，以便驅動所述第三和第四反應物之間的反應，從而在所述襯底的所述表面上形成第二膜。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第一反應物和第二反應物分別與所述第三反應物和第四反應物相同。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述第二和第四反應物各自包括O₂和N₂O。

12.如權利要求10所述的方法，其中反應室壓強、反應室溫度、供給持續時間、等離子體暴露持續時間、以及RF功率的值在操作(a)-(c)和操作(e)-(g)之間保持基本上恒定。

13.如權利要求9所述的方法，其中所述反應室中的溫度在操作(a)-(g)過程中變化不超過約2℃。

14.如權利要求13所述的方法，其中操作(e)在操作(c)的最后一次迭代之后約5分鐘內開始。

15.如權利要求9所述的方法，其中所述反應室在操作(c)的最后一次迭代和操作(e)的第一次迭代之間不進行清洗。

16.如權利要求9所述的方法，其中對多個襯底重復操作(d)-(g)，且其中在操作(a)-(g)過程中被沉積在所述反應室的所述內表面上的膜直至在所述襯底上已沉積總計至少約7.5μm的第二膜才開始剝落或剝離。

17.如權利要求9所述的方法，其中對多個襯底重復操作(d)-(g)，且其中在操作(a)-(g)中所沉積的膜直至通過所述反應室利用操作(d)-(g)已處理至少約300個襯底才開始剝落或剝離。

18.如權利要求1-5中任一項、7或8所述的方法，其中操作(a)-(c)的第一次迭代在第一級別的RF通量被執行而操作(a)-(c)的第二次迭代在第二級別的RF通量被執行，其中所述第一級別的RF通量和所述第二級別的RF通量不相同。