[發明專利]半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201410685729.7
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN105702575A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 王桂磊;劉金彪;李俊峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/3105;H01L21/3115
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，用于制備具有張應力的氮化硅，其 特征在于包括如下步驟：

步驟c1，在沉積設備腔體內通入氨氣和氮氣，并預穩定，使所述 腔體內部氣體擴散均勻、壓力穩定；

步驟c2，向所述腔體內通入硅烷；

步驟c3，射頻點火；

步驟c4，在上述步驟c1-c3順序執行的基礎上，在晶片上沉積具 有張應力的氮化硅，步驟c1-c4的順序執行即為一個沉積循環；

步驟c5，采用氮離子注入工藝處理所述氮化硅。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c1中，氨氣流 量為80sccm，氮氣流量為4000sccm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c2中，硅烷流 量為20sccm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c3中，在保持 步驟c1和步驟c2中氣體流量的同時，開啟射頻，設定功率為40W， 時間為5s。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c4的時間設定 為1.5s，使得晶片上沉積的所述氮化硅的厚度為

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c1至步驟c4 執行過程中，所述沉積設備腔體內壓力穩定控制在6T。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c5具體為下列 方法(1)或者方法(2)或者方法(1)和(2)的結合：(1)在同 一所述沉積設備腔體內，關閉氨氣和硅烷的閥門，保持氮氣的閥門開 啟，持續通入4000sccm的氮氣，開啟RF功率為40W，激發氮等離 子體轟擊所述氮化硅的表面；(2)將沉積了氮化硅的晶片傳送進入 低能離子注入腔，再將氮離子注入到所述氮化硅中。

8.根據權利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，循環多次 執行步驟c1至步驟c5，其中，在每次所述沉積循環之后，均執行步 驟c5。

9.根據權利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，循環多次 執行步驟c1至步驟c5，其中，在所選的某次或某些次所述沉積循環 之后，才執行步驟c5。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c1之前進一 步包括：步驟a，清潔以及調適所述沉積設備腔體，耗時120s；步驟 b，裝載所述晶片，耗時5s；其中，所述沉積設備為雙頻容性耦合等 離子體平行板式PECVD設備，所述沉積設備腔體內本底真空度小于 等于30mT。