[發(fā)明專利]一種相變材料、該相變材料制成的相變存儲(chǔ)器及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410682337.5
• 申請(qǐng)日: 2014-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN104409628B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王青;劉波;夏洋洋;張中華;宋三年;宋志棠;封松林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種相變材料，其特征在于，所述相變材料至少包括：組分通式為Cr_xSb_yTe₁的化合物，其中，x、y均指元素的原子比，且滿足：0<x<1，2.5≤y≤3.5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變材料，其特征在于：所述相變材料的組分滿足：0.25≤x≤0.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變材料，其特征在于：所述相變材料的組分為Cr_0.25Sb_2.5Te₁或Cr_0.41Sb_2.5Te₁。

4.一種相變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述相變存儲(chǔ)器至少包括下電極層、上電極層以及位于所述下電極層與所述上電極層之間的相變材料層，所述相變材料層包括由如權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的相變材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述下電極層的材料包括：?jiǎn)谓饘俨牧蟇、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的一種，或由所述單金屬材料任意兩種或多種組合成的合金材料，或所述單金屬材料的氮化物或氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述上電極層的材料包括：?jiǎn)谓饘俨牧蟇、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的一種，或由所述單金屬材料任意兩種或多種組合成的合金材料，或所述單金屬材料的氮化物或氧化物。

7.一種如權(quán)利要求4～6任意一項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

形成下電極層；

在所述下電極層上形成相變材料層；

在所述相變材料層上形成上電極層；

在所述上電極層上形成引出電極，把所述上電極層、所述下電極層通過所述引出電極與器件單元的控制開關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路及外圍電路集成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述引出電極的材料為W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或Ni中任一種，或其任意兩種或多種組合成的合金材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：制備所述下電極層、所述相變材料層、所述上電極層及所述引出電極的方法包括：濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法或原子層沉積法中任一種。