[發明專利]鰭上外延溝道、鰭式場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201410681972.1
• 申請日: 2014-11-24
• 公開（公告）號: CN105702579B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 黨麗;吳蘭柱

1.一種鰭上外延溝道的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，襯底中形成有相互隔離的鰭；

進行離子注入，以形成穿通停止層；

進行鰭外延前的前烘，以去除鰭上的自然氧化層，并在前烘的腔室中對鰭進行回流，使鰭的高度降低，溝道區原有的摻雜殘留下移至鰭的下部；

在鰭上生長外延層；

前烘是指通過腔室中的氣體與鰭上的自然氧化層反應生成化合物，化合物在氣化后從鰭表面分離；

回流是指改變腔室中氣體壓強和/或溫度，使鰭的高度降低，鰭的原子重新排列。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延層的遷移率大于鰭的遷移率。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述襯底為SOI或GOI襯底。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，前烘的氣體為H₂、或者H₂與HCl、NH₄F或GeH₄的混合氣體、或者HF與N₂的混合氣體。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除自然氧化層時，腔室內氣體的壓強為20-2000托，腔體的溫度為450-1150℃。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對鰭進行回流時，腔室內氣體的壓強為50毫托-200托，腔體的溫度為450-1150℃。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除自然氧化層時，腔室內氣體的壓強為250-1000托，腔體的溫度為700-850℃。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，對鰭進行回流時，腔室內氣體的壓強為1-100托，腔體的溫度為700-850℃。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，外延層的厚度范圍為1-100nm。

10.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，外延層的厚度范圍為5-40nm。

11.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括權利要求1-10中任一項所述的鰭上外延溝道的制造方法。